| 主权项 |
1.一种具有自动对准埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,包括下列步骤:提供一矽基底,其被掺植第一种导电性质的杂质;在矽基底上形成一层介电质层;上光阻,暴露预计要形成源极/汲极区的区域,并将暴露出的介电质层蚀刻掉,再去光阻;沉积一层复晶矽,并回蚀刻形成间隔复晶矽层;以第二种导电性质的离子,植入源极/汲极区,藉由间隔复晶矽层的阻隔效果,使后续扩散形成的源极/汲极区具有自动对准的LDD结构;去掉残留的介电质层;形成闸极氧化层;以及沉积并成型字元线闸极层,完成编程之前的光罩唯读记忆体。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在沉积复晶矽层并回蚀刻形成间隔复晶矽层的制程中,所沉积的复晶矽层厚度约为2000-3000,并且掺植杂质以提高其导电性。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中在沉积复晶矽层并由蚀刻形成间隔复晶矽层的制程中,蚀刻步骤系利用非等向性电浆蚀刻方式,而且过度蚀刻。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该信电质层系厚度约为2000-3000的二氧化矽层。5.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该介电质层系厚度约为100-200的一垫氧化层,以及厚度约为2000-3000的一矽氮化层所组成的双层结构。6.如申请专利范围第3项所述之制造方法,当所完成的光罩唯读记忆体要进行编程时,包括下列步骤:根据要写入的程式,制作一写码光罩;利用该写码光罩上光阻,暴露出要写码的通道区域;以及以第一种导电性质的离子,植入通道中,利用在通道上方,字元线闸极层两侧厚度较厚部份的阻隔效应,可以使植入的离子自动对准集中在通道的中央部份,以免接触到源极/汲极区。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该第一种导电性质为P型,而第二种导电性质为N型。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中在源极/汲极区的离子植入步骤中,同样使用As+亦可,能量约为50-100KeV,掺入量约为110C^15Catoms/cmC^2C。9.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中在源极/汲极区的离子植入步骤中,系采用砷离子。10.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中在编程的离子植入步骤中,系采用硼离子,而且植入能量约为150KeV,掺入量约为110C^14Catoms/cmC^2C。11.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中该字元线闸极层是采用复晶矽材料。第1图显示一种传统具有埋入式位元线的光罩唯读记忆体结构之上视布局示意图;第2图是沿着第1图的Ⅱ─Ⅱ线剖开之剖面示意图;第3A至3E图绘示依照本发明一较佳实施例,一种具有自动对准埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法流程;第4图显示依照本发明所制成的光罩唯读记忆体结构沿着第5图的IIV─IIV线剖开,绘示进行编程的剖面示意图;以及第5图显示依照本发明所制成的光罩唯读记忆体结构之上视布 |
