发明名称 | 场效应管和反向二极管组成的二极管等效电路 | ||
摘要 | 本实用新型涉及的场效应管和反向二极管组成的二极管等效电路,包括用于等效二极管的电路和用于驱动二极管等效电路的驱动电路,所述二极管等效电路由N沟道耗尽型场效应管M1、反向二极管D1,驱动电路及二极管等效电路的新阳极DA、新阴极DK构成,其中N沟道耗尽型场效应管M1的源极S连接反向二极管D1的阳极,N沟道耗尽型场效应管M1的漏极D连接新阴极DK,反向二极管D1的阴极连接新阳极DA,驱动电路生成MOSG控制信号来控制N沟道耗尽型场效应管M1的栅极G。本实用新型的有益之处是:门限电压非常低,几乎只要大于0V就可以开始将交流转换成直流;增加耗尽型场效应管来修正反向二级管双向导通问题;不需要额外的电压源来驱动;可以通过增加一个倍压电路或者其他类似的交流转直流整流电路来更好的驱动场效应管。 | ||
申请公布号 | CN205753953U | 申请公布日期 | 2016.11.30 |
申请号 | CN201620738853.X | 申请日期 | 2016.07.14 |
申请人 | 吴为 | 发明人 | 吴为 |
分类号 | H02M1/08(2006.01)I | 主分类号 | H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 | 常州市维益专利事务所(普通合伙) 32211 | 代理人 | 赵枫 |
主权项 | 一种场效应管和反向二极管组成的二极管等效电路,包括用于等效二极管的电路和用于驱动二极管等效电路的驱动电路,其特征在于:所述二极管等效电路由N沟道耗尽型场效应管M1、反向二极管D1,驱动电路及二极管等效电路的新阳极DA、新阴极DK 构成, 其中N沟道耗尽型场效应管M1的源极 S连接反向二极管D1 的阳极,N沟道耗尽型场效应管M1的漏极 D连接新阴极DK,反向二极管D1 的阴极连接新阳极DA ,驱动电路生成MOSG控制信号来控制N沟道耗尽型场效应管M1的栅极G。 | ||
地址 | 215000 江苏省苏州市高新区中峰街161号 |