选择性蚀刻写码之唯读记忆体制法

摘要

本发明系关于一种选择性蚀刻写码之唯读记忆体制法，尤指一种鉴于传统植入硼离子进入通道区予以切断通路之写码方式不易在后续退火或活化过程将矽层损坏完全复原之缺陷下，即提供一种在内层复晶矽闸极上方覆盖一氮化钛，而在后续金属化制程完成后，即进行后续一以选择性蚀刻方式完成写码作业，此作业即为以覆盖写码光罩、蚀刻对应在复晶矽字元线上方氧化层及硼磷玻璃层及一透过ＲＣＡ蚀刻方式（氨水＋过氧化氢）蚀刻去除氮化钛，使欲切断之记忆元位置之内层复晶矽闸极与外层复晶矽字元线间形成中空开路状态，完成选择性蚀刻写码作业，即由于写码作业完全无需植入步骤，故无矽层损坏问题者。

主权项

1.一种选择性蚀刻写码之唯读记忆体制法,包括:一于矽层上形成闸氧化层及沈积/掺杂形成一内层复晶矽闸极之步骤;一沈积氮化钛层之步骤;一覆盖位元线光罩及蚀刻该氮化钛层/内层复晶矽闸极之步骤;一植入离子以于矽层内形成埋入式源/泄极位元线之步骤;一沈积/掺杂形成外层复晶矽层之步骤;一实施字元线光罩以进行外层复晶矽层蚀刻形成字元线之步骤;一沈积硼磷玻璃、接触区蚀刻、金属溅镀、金属层蚀刻之步骤;一覆盖写码光罩以进行硼磷玻璃层蚀刻形成写码窗口之步骤;一对应于写码窗口下方氮化钛层蚀刻之步骤;及一覆盖护层及较低温退火步骤;藉上述于闸极上方沈积氮化钛及在后续选择性蚀刻方式去除记忆元上方氮化钛以使字元线与闸极隔离,获致写码效果者。2.如申请专利范围第1项所述之选择性蚀刻写码之唯读记忆体制法,其中该内层复晶矽闸极之沈积厚度为500-5000者。3.如申请专利范围第1项所述之选择性蚀刻写码之唯读记忆体制法,其中该氮化钛层之沈积厚度为500-2000者。4.如申请专利范围第1项所述之选择性蚀刻写码之唯读记忆体制法,其中该蚀刻氮化钛之方式可采用RCA(氨水+过氧化氢)蚀刻方法者。第一图:系本发明之制法剖面示