发明名称 气相氟化法
摘要 本文揭示1,1,1,2-四氟乙烷的改良制法,尤指1,1,1-三氟基氯乙烷与氟化氢在有触媒(载于氟化铝上之经选择的金属),及分子氧存在下之气相反应,此改良制法可减少释出之氯化氢氧化为氯及水,延长触媒的寿命及改善产率。
申请公布号 TW263491 申请公布日期 1995.11.21
申请号 TW078100904 申请日期 1989.02.10
申请人 杜邦公司 发明人 里欧恩斯特.曼茨
分类号 C07C17/20 主分类号 C07C17/20
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种藉氟化1,1,1—三氟基氯乙烷以制备1,1,1,2—四氟乙烷的方法,此方法包含:令所指1,1,1—三氟基氯乙烷于气相且在325℃至475℃下与氟化氢及包含至少一种金属化合物的触媒接触,接触时间为10秒至30秒,其中HF对1,1,1—三氟基氯乙烷之莫耳比为3/1至20/1,所指之金属化合物系选自载于氟化铝上的钴,锰,镍,钯,银及/或钌之金属化合物,所指之接触发生在氧存在下,其中氧量相对于1莫耳1,1,1—三氟基氟乙烷为0.05至0.2莫耳,所指之接触减少释出之氯化氢氧化为氯及水的反应并产生含有1,1,1,2—四氟乙烷的产物流,然后,由产物流分离出1,1,1,2—四氟乙烷。2.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,金属化合物中之金属量为触媒重之0.02至50%。3.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,金属化合物中之金属量为触媒重之0.1至10%。4.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,氟化氢系于400℃至450℃的温度下,以3/1至10/1的莫耳比与1,1,1—三氟基氯乙烷相接触,而接触时间为10至30秒。5.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,金属化合物中之金属为钴。6.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,金属化合物中之金属为钌。7.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,金属化合物中之金属为锰。8.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,金属化合物中之金属为镍。9.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,金属化合物中之金属为银。10.如申请专利范围第1项所请之制法,其中,金属化合物
地址 美国