| 主权项 |
1. 一种MOS电晶体,具备有:一对之源极/吸极区域,在半导体基板之一主面形成包夹通道区域;闸极电极,位于该一对之源极/吸极区域之间,经由闸极绝缘膜形成在上述半导体基板之一主面上;和侧壁,形成接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面,而且被导入有氮,在上述半导体基板之一主面之垂直方向之剖面,上述之氮之浓度分布在与上述半导体基板之一主面之界面具有尖峰。2.如申请专利范围第1项之MOS电晶体,其特征是被导入侧壁之垂直于半导体基板之一主面之方向之剖面之氮之浓度分布,在位于半导体基板之一主面之界面之浓度尖峰之上,更具有另一浓度尖峰。3. 如申请专利范围第1项之MOS电晶体,其特征是被导入侧壁之平行于半导体基板之一主面之方向之剖面之氮之浓度分布,在闸极电极之侧面之界面具有尖峰。4. 一种MOS电晶体,具备有:一对之源极/吸极区域,在半导体基板之一主面形成包夹通道区域;闸极电极,位于该一对之源极/吸极区域之间,经由闸极绝缘膜形成在上述半导体基板之一主面上;和侧壁,具有纵向剖面近似L字状之氧化膜包含有接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面之垂直部和接合在上述半导体基板之一主面之底部,和具有聚矽形成接合在该氧化膜之垂直部和底部而且被导入有氮。5. 如申请专利范围第4项之MOS电晶体,其特征是侧壁在之氧化膜亦被导入有氮。6. 一种MOS电晶体,具备有:一对之源极/吸极区域,在半导体基板之一主面形成包夹通道区域,除了第1导电型之不纯物外,被导入有氮;被导入有氮之闸极电极,位于该一对之源极/吸极区域之间,经由闸极绝缘膜形成在上述半导体基板之一主面上;和侧壁,形成接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面,和具有被导入有氮之氧化膜。7. 如申请专利范围第6项之MOS电晶体,其特征是被导入侧壁之垂直于半导体基板之一主面之方向之剖面之氮之浓度分布,在与半导体基板之一主面之界面具有尖峰。8. 如申请专利范围第1至7项之任何一项之MOS电晶体,其特征是该一对之源极/吸极区域分别具有:低浓度扩散区域,其端部接合在通道区域;和高浓度扩散区域,位于通道区域之外侧,构成与低浓度扩散区域形成一体。9. 一种半导体装置,具备有:N通道型MOS电晶体,包有:N型导电型之一对之第1源极/吸极区域,在半导体基板之一主面形成包夹第1通道区域;第1闸极电极,位于该一对之第1源极/吸极区域之间,经由第1闸极绝缘膜形成在上述半导体基板之一主面上:和第1侧壁,形成接合在上述第1闸极电极之侧面和上述第1闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面,和由被导入有氮之氧化膜所形成;和P通道型MOS电晶体,包含有:P型导电型之一对之第2源极/吸极区域,在半导体基板之一主面形成包夹第2通道区域;第2闸极电极,位于该一对之第2源极/吸极区域之间,经由第2闸极绝缘膜形成在上述半导体基板之一主面上;和第2侧壁,形成接合在上述第2闸极电极之侧面和第2闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面,和由被导入有氮之氧化膜所形成。10. 如申请专利范围第8项之半导体装置,其特征是被导入到N通道型MOS电晶体和P通道型MOS电晶体之各个侧壁之垂直于半导体基板之一主面之方向之剖面之氮之浓度分布,在与半导体基板之一主面之界面具有尖峰。11.如申请专利范围第8项之半导体装置,其特征是在N通道型MOS电晶体之第1闸极电极上和该一对之第1源极/吸极区域上形成有金属矽化物层,和在P通道型MOS电晶体之第2闸极电极上和该一对之第2源极/吸极区域上形成有金属矽化物层。11. 如申请专利范围第9项之半导体装置,其特征是在N通道型MOS电晶体之第1闸极电极上和该一对之第1源极/吸极区域上形成有金属矽化物层,和在P通道型MOS电晶体之第2闸极电极上和该一对之第2源极/吸极区域上形成有金属矽化物层。12. 如申请专利范围第9项之半导体装置,其特征是N通道型MOS电晶体之一对之第1源极/吸极区域分别具有:低浓度扩散区域,其端部接合在第1通道区域;和高浓度扩散区域,位于第1通道区域之外侧,构成与低浓度扩散区域形成一体。13. 一种MOS电晶体之制造方法,所具备有之工程包含有:在半导体基板在之一主面形成闸极绝缘膜和闸极电极;在上述闸极电极之表面上和上述半导体基板之露出面上,利用CVD法形成氧化膜层;从上述之氧化膜层之表面上将氮离子注入到上述之氧化膜层;和对被注入有氮之上述氧化膜进行蚀刻,用来形成接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面及上述之半导体基板之一主面之侧壁。14. 一种MOS电晶体之制造方法,所具备之工程包含有:在半导体基板之一主面形成闸极绝缘膜和闸极电极;在上述闸极电极之表面上及上述半导体基板之露出面上,利用CVD法形成氧化膜层;在上述氧化膜层之表面上形成聚矽层;从上述聚矽层之表面上将氮离子注入到上述之聚矽层;注入到上述聚矽层之氮扩散到上述之氧化膜层;和除去上述之聚矽层,对被注入有氮之上述氧化膜层进行蚀刻,用以形成接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面之侧壁。15.一种MOS电晶体之制造方法,所具备之工程包含有:在半导体之一主面上形成闸极绝缘膜和闸极电极;在上述闸极电极之表面上和上述半导体基板之露出面上,利用CVD法形成氧化膜层;在上述氧化膜层之表面上形成聚矽层;从上述聚矽层之表面上将氮离子注入到上述之聚矽层;和对被注入有氮之上述聚矽层进行蚀刻和对上述之氧化膜进行蚀刻,藉以形成侧壁,该侧壁具有纵向剖面近似L字状之氧化膜包含有接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面之垂直部和接合在上述半导体基板之一主面之底部,和具有聚矽形成接合在该氧化膜之垂直部和底部而且被导入有氮。16. 一种MOS电晶体之制造方法,所具备有之工程包含有:在半导体基板之一主面上形成闸极绝缘膜和闸极电极;在上述闸极电极之表面上和上述半导体基板之露出面上,利用CVD法形成氧化膜层;从上述氧化膜层之表面将氮离子注入到上述氧化膜层之至少接合上述闸极电极之侧面和上述闸极氧化膜之侧面之内部区域,上述之闸极电极,和位于上述半导体基板之露出面之半导体基板之一主面;和对上述之氧化膜层进行蚀刻藉以形成侧壁,该侧壁具有接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面之被导入有氮之氧化膜。17.一种N通道型MOS电晶体之制造方法,所具备有之工程包含有:在半导体基板之一主面上形成闸极绝缘膜和闸极电极;以上述之闸极电极作为罩幕之一部份,在上述之半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物,用以形成一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域;在上述闸极电极之表面上和上述之一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域上,利用CVD法形成氧化膜层;从上述之氧化膜层之表面将氮离子注入到上述之氧化膜层;对被注入有氮之上述氧化膜层进行蚀刻,用以形成侧壁使其接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面及上述一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域;和以上述之闸极电极和上述之侧壁作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物,用以形成上述之一对之源极/吸极区域之高浓度扩散区域。18. 一种N通道型MOS电晶体之制造方法,所具备之工程包含有:在半导体基板之一主面形成闸极绝缘膜和闸极电极,以上述之闸极电极作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物,用以形成一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域;在上述闸极电极之表面上和上述之一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域上,利用CVD法形成氧化膜层;在上述氧化膜层之表面上形成聚矽层;从上述之聚矽层之表面上将氮离子注入到上述之聚矽层;使注入到上述聚矽层之氮扩散到上述之氧化膜层;除去上述之聚矽层,对被注入有氮之上述氧化膜层进行蚀刻,用以形成接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面及上述之一对之源极/吸极区之低浓度扩散区域之侧壁;和以上述之闸极电极和上述之侧壁作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物用以形成上述之一对之源极/吸极区域之高浓度扩散区域。19. 一种N通道型MOS电晶体之制造方法,所具备有之工程包含有:在半导体基板之一主面上形成闸极绝缘膜和闸极电极;以上述之闸极电极作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物,用以形成一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域;在上述闸极电极之表面上和上述之一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域上,利用CVD法形成氧化膜层;在上述氧化膜层之表面上形成聚矽层;从上述之聚矽层之表面上将氮离子注入到上述之聚矽层;对被注入有氮之上述聚矽层进行蚀刻和对上述之氧化膜层进行蚀刻,藉以形成侧壁,该侧壁具有纵向剖面近似L字状之氧化膜包含有接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面之垂直部和接合在上述之一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域之底部,和具有绝缘形成接合在该氧化膜之垂直部和底部而且被导入有氮;和以上述之闸极电极和上述之侧壁作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物用以形成上述之一对之源极/吸极区域之高浓度扩散区域。20. 一种N通道型MOS电晶体之制造方法,所具备有之工程包含有:在半导体基板之一主表面形成闸极绝缘膜和闸极电极;以上述之闸极电极作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物用以形成一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域;在上述闸极电极之表面上和上述之一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域上,利用CVD法形成氧化膜层;从上述氧化膜层之表面上将氮离子注入到上述氧化膜层之至少接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极氧化膜之侧面之内部区域,和注入到上述之一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域;对上述之氧化膜层进行蚀刻,藉以形成侧壁,该侧壁具有接合在上述闸极电极之侧面和上述闸极绝缘膜之侧面及上述之一对之源极/吸极区域之低浓度扩散区域之被导入有氮之氧化膜;和以上述之闸极电极和上述之侧壁作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物用以形成上述之一对之源极/吸极区域之高浓度扩散区域。21. 如申请专利范围第13至20项之任何一项之MOS电晶体之制造方法,其特征是在氮离子之注入时,利用旋转倾斜注入法用来注入氮离子。22. 一种半导体装置之制造方法,所具备之工程包含有:使半导体基板之一主面具有N通道型MOS电晶体形成区域和P通道型MOS电晶体形成区域,在N通道型MOS电晶体形成区域上形成用以构成N通道型MOS电晶体之第1闸极绝缘膜及第1闸极电极,和在半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域上形成用以构成P通道型MOS电晶体之第2闸极绝缘膜和第2闸极电极;在上述第1和第2闸极电极之表面上和上述半导体基板之露出面上,利用CVD法形成氧化膜层;以覆盖在位于上述半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域之上述氧化膜层之表面之方式,从位于上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域上之上述氧化膜层之表面上,将氮离子注入到位于上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域上之上述氧化膜层;和对位于被注入有氮之上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域上之上述氧化膜层进行蚀刻,用以形成接合在上述第1闸极电极之侧面和上述第1闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面之侧壁。23. 一种半导体装置之制造方法,所具备之工程包含有:在半导体基板之一主面,形成用以构成N通道型MOS电晶体之第1闸极绝缘膜和第1闸极电极,和形成用以构成P通道型MOS电晶体之第2闸极绝缘膜和第2闸极电极;在上述之第1和第2闸极电极之表面上和上述半导体基板之露出面上,利用CVD法形成氧化膜层;从上述氧化膜层之表面将氮离子注入到上述之氧化膜层;和对被注入有氮之上述氧化膜层进行蚀刻,用以形成接合在上述第1闸极电极之侧面和上述第1闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面之第1侧壁,和用以形成接合在上述第2闸极电极之侧面和上述第2闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面之第2侧壁。24. 一种半导体装置之制造方法,所具备之工程包含有:使半导体基板之一主面具有N通道型MOS电晶体形成区域和P通道型MOS电晶体形成区域,在N通道型MOS电晶体形成区域上形成用以构成N通道型MOS电晶体之第1闸极绝缘膜及第1闸极电极,和在半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域上形成有用以构成P通道型MOS电晶体之第2闸极绝缘膜和第2闸极电极;以覆盖在上述半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域之方式,以上述第1闸极电极作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域,注入N型导电型之不纯物,用以形成N通道型MOS电晶体之构成用之一对之第1源极/吸极区域之低浓度扩散区域;在上述之第1和第2闸极电极之表面上和上述半导体基板之露出面上,利用CVD法形成氧化膜层;以覆盖在位于上述半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域之上述氧化膜层之表面之方式,从位于上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域上之上述氧化膜层之表面上,将氮离子注入到位于上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域上之上述氧化膜层;对位于被注入有氮之上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域上之上述氧化膜层进行蚀刻,用以形成接合在上述第1闸极电极之侧面和上述第1闸极绝缘膜之侧面及上述之一对之第1源极/吸极区域之低浓度扩散区域之第1侧壁,和对位于上述半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域上之上述氧化膜层进行蚀刻,用以形成接合在上述第2闸极电极之侧面和上述第2闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之露出面之第2侧壁;以覆盖在上述半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域之方式,以上述第1闸极电极和上述第1侧壁作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物,用以形成上述之一对之源极/吸极区域之高浓度扩散区域;和以覆盖在上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域之方式,以上述第2闸极电极和上述第2侧壁作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入P型导电型之不纯物,用以形成P通道型MOS电晶体之构成用之一对之第2源极/吸极区域。25. 一种半导体装置之制造方法,所具备之工程包含有:使半导体基板之一主面具有N通道型MOS电晶体形成区域和P通道型MOS电晶体形成区域,在N通道型MOS电晶体形成区域上形成有用以构成N通道型MOS电晶体之第1闸极绝缘膜和第1闸极电极,和在半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域上形成有用以构成P通道型MOS电晶体之第2闸极绝缘膜和第2闸极电极;以覆盖在上述半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域之方式,以上述第1闸极电极作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域,注入N型导电型之不纯物,用以形成N通道型MOS电晶体之构成用之一对之第1源极/吸极区域之低浓度扩散区域;在上述之第1和第2闸极之表面上和上述半导体基板之露出面上,利用CVD法形成氧化膜层;从上述氧化膜层之表面将氮离子注入到上述之氧化膜层;对被注入有氮之上述氧化膜层进行蚀刻,用以形成接合在上述第1闸极电极之侧面和上述第1闸极绝缘膜之侧面及上述之一对之第1源极/吸极区域之低浓度扩散区域之第1侧壁,和形成接合在上述第2闸极电极之侧面和上述第2闸极绝缘膜之侧面及上述半导体基板之一主面之第2侧壁;以覆盖上述半导体基板之P通道型MOS电晶体形成区域之方式,以上述第1闸极电极和上述第1侧壁作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入N型导电型之不纯物用以形成上述之一对之第1源极/吸极区域之高浓度扩散区域;和以覆盖上述半导体基板之N通道型MOS电晶体形成区域之方式,以上述第2闸极电极和上述第2侧壁作为罩幕之一部份,在上述半导体基板之一主面,注入P型导电型之不纯物藉以形成用以构成P通道型MOS电晶体之一对之第2源极/吸极区域。26. 如申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,其特征是更具备有形成工程用以在N通道型MOS电晶体之第1闸极电极之表面,P通道型MOS电晶体之第2闸极电极之表面,N通道型MOS电晶体之第1源极/吸极区域之表面,和P通道型MOS电晶体之第2源极/吸极区域之表面形成金属矽化物层。27. 如申请专利范围第25项之半导体装置之制造方法,其特征是更具备有形成工程用以在N通道型MOS电晶体之第1闸极电极之表面,P通道型MOS电晶体之第2闸极电极之表面,N通道型MOS电晶体之第1源极/吸极区域之表面,和P通道型MOS电晶体之第2源极/吸极区域之表面形成金属矽化物层。28. 如申请专利范围第22至27项之任何一项之半导体装置之制造方法,其特征是在氮离子之注入时利用旋转倾斜注入法进行氮离子之注入。图示简单说明:图1是主要部份之剖面图,用来表示本发明之实施例1。图2用来表示图1之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图3是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例1之工程顺序。图4是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例1之工程顺序。图5是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例1之工程顺序。图6是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例1之工程顺序。图7是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例1之工程顺序。图8用来表示图7之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图9用来表示图7之Ⅱ-Ⅱ剖面之氮之浓度分布。图10用来表示图7之Ⅲ-Ⅲ剖面之氮之浓度分布。图11是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例1之工程顺序。图12是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例1之工程顺序。图13是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例2之工程顺序。图14用来表示图13之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图15是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例3。图16用来表示图15之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图17用来表示图15之Ⅳ-Ⅳ剖面之氮之浓度分布。图18是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例3之工程顺序。图19是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例3之工程顺序。图20用来表示图19之Ⅴ-Ⅴ剖面之氮之浓度分布。图21用来表示图19之Ⅱ-Ⅱ剖面和Ⅲ-Ⅲ剖面之氮之浓度分布。图22是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例3之工程顺序。图23用来表示图22之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图24用来表示图22之Ⅱ-Ⅱ剖面之氮之浓度分布。图25用来表示图22之Ⅲ-Ⅲ剖面之氮之浓度分布。图26是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例3之工程顺序。图27是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例3之工程顺序。图28是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例4之工程顺序。图29用来表示图28之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图30是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例5。图31用来表示图30之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图32是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例5之工程顺序。图33是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例5之工程顺序。图34用来表示图33之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图35用来表示图33之Ⅱ-Ⅱ剖面之氮之浓度分布。图36用来表示图33之Ⅲ-Ⅲ剖面之氮之浓度分布。图37是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例5之工程顺序。图38是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例5之工程顺序。图39是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例5之工程顺序。图40是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例6之工程顺序。图41用来表示图40之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图42是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例7。图43用来表示图42之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图44用来表示图42之Ⅱ-Ⅱ剖面之氮之浓度分布。图45用来表示图42之Ⅲ-Ⅲ剖面之氮之浓度分布。图46是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例7之工程顺序。图47用来表示图46之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图48用来表示图42之Ⅱ-Ⅱ剖面之氮之浓度分布。图49用来表示图42之Ⅲ-Ⅲ剖面之氮之浓度分布。图50是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例8之工程顺序。图51用来表示图50之Ⅰ-Ⅰ剖面之氮之浓度分布。图52是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9。图53是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9之工程顺序。图54是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9之工程顺序。图55是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9之工程顺序。图56是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9之工程顺序。图57是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9之工程顺序。图58是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9之工程顺序。图59是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9之工程顺序。图60是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例9之工程顺序。图61是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例10之工程顺序。图62是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例10。图63是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例10之工程顺序。图64是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例10之工程顺序。图65是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例10之工程顺序。图66是主要部份剖面图,用来表示本发明之实施例11之工程顺序。图67是主要部份剖面图,用来表示习知之N通道型MOS电晶体。图68是主要部份剖面图,用来表示习知之另一N通道型MOS 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