| 主权项 |
1. 一种于半导体元件制备中形成一具有接触孔之绝缘层的方法,该半导体元件具有一欲被形成该具有接触孔之绝缘层的表面,该方法包含下列步骤:(a) 于该表面上之欲形成接触孔的位置形成光阻;(b) 利用选择性沉积于该表面之无光阻覆盖部份形成绝缘层,其中所形成之绝缘层的厚度小于该光阻之厚度;(c) 去除该光阻。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该选择性沉积为二氧化矽液相沉积。3. 如申请专利范围第2项所述之方法,其中该二氧化矽液相沉积系于一温度介于室温至55℃之二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液中进行0.5—50小时,该二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液具有0.5—4M氢氟矽酸浓度,以及进一步含有,以氢氟矽酸的莫耳数为基准,0—0.64莫耳%的硼酸。4. 如申请专利范围第3项所述之方法,其中该二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液系藉将一具有4M氢氟矽酸浓度的二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液与水依体积比4:1至2:1的比例混合而制备。5. 如申请专利范围第3项所述之方法,其中该二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液系藉将一具有4M氢氟矽酸浓度的二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液用水稀释成3.8M氢氟矽酸浓度,再将此3.8M氢氟矽酸浓度的二氧化矽过饱和的氢氟矽酸水溶液与0.1M硼酸水溶液依体积比50:4至50:12的的比例混合而制备。6. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤a)的进行系a')于该表面上形成一光阻层及a")除了位于该欲形成接触孔的位置的光阻外将该光阻层其它部份的光阻去除。7. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤b)所形成之绝缘层的厚度为3000—8000@fc(2.frch)8。图示简单说明:图1a-1e为先前技艺中形成一具有接触孔之绝缘层的流程示意图。图2a-2d为依照本发明来形成一具有接触孔之绝缘层的流 |
