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1. 一种整合复晶矽侧壁、硼磷玻璃之制程,其系包括:(a) 以正四酸乙酯及臭氧为起始物质,使用大气化学沉积法在晶圆及复晶矽表面长成一层矽化物玻璃;(b) 使用三氟甲烷化学蚀刻法蚀刻该矽化物玻璃,使该矽化物玻璃在复晶矽之二侧边形成侧壁;(c) 使用电浆气相化学沉积法,以正四酸乙酯及臭氧起始物质,在该复晶矽及侧壁表面形成一障壁层;(d) 使用次大气化学沉积法以臭氧,正四酸乙酯及三乙基硼酸盐,三乙基磷酸盐为起始物质在障壁层上长成一硼磷玻璃,其压力为100至300公厘水银柱为2000至5000标准立方公分/分钟,氦气流量为5000至7000标准立方公分/分钟,TEOS流量为400至650毫克/分钟TEB流量为120至180毫克/分钟,TEPO流量为20至80毫克/分钟。2. 一种整合复晶矽侧壁、硼磷玻璃之结构,其中该矽化物玻璃蚀刻后,于复晶矽之二侧形成一坡度平缓之侧壁,在间隙小于一微米之二复晶矽间之上方处,呈一与复晶矽等高而平坦之表面者。图示简单说明:图一系使用习用之低压大气化学沉积法在晶圆表面及复晶矽表面形成矽化物玻璃的剖示图。图二系将图一所示结构中之矽化物玻璃蚀刻后在复晶矽两侧形成侧壁之剖示图。图三系显示图二结构中再覆以障壁层及硼磷玻璃的结构示意图。图四系显示本发明使用O@ss3/TEOS方法在晶圆以及复晶矽表面长成一层矽化物玻璃的剖示图。图五系显示将图四结构中之矽化物玻璃予以蚀刻,并在复晶矽两侧形成侧壁之剖示图。图六系显示图五结构中更覆以障壁层及硼磷玻璃之剖面结构图。 |
