| 主权项 |
1. 一种显示元件之制造方法,系属于在绝缘基板上积层形成导电体层及诱电体层,具有藉在形成前述导电体层或诱电体层之区域实施分割制成多数小区域图样以成既定配置之单位图素制造工程之显示元件之制造方法,其特征为:在前述相互邻接之小区域之分界线系非直线状设定。2. 一种显示元件之制造方法,系属于由在绝缘基板上形成之导电体层或诱电体层积层制成第1及第2薄膜具有藉在形成前述第1薄膜或第2薄膜之区域实施分割制成多数小区域图样以成既定配置之单位图素制造工程之显示元件之制造方法,其特征为:在前述第1薄膜相互邻接之前述小区域之分界线及前述第2薄膜相互邻接之前述小区域之分界线两者系非直线状设定,同时前述第1薄膜之分界线及第2薄膜之分界线均设定为采用同一单位图素区域。3. 如申请专利范围第1项之显示元件之制造方法,其中前述显示元件系液晶显示器。4. 如申请专利范围第1项之显示元件之制造方法,其中前述图样制作系藉采用光照射手段所实施。5. 一种显示元件之制造方法,系属于具备在绝缘基板上积层形成导电体层或诱电体层,且在前述导电体层或诱电体层之形成区域分割图样成多数小区域,实施后以形成具所定配置之单位图素之工程制造方法,其特征为:在相互邻接之前述小区域之分界线设定为非直线状,且设定以使前述分界之任意前述单位图素系多数次横切。6. 一种显示元件,系属于在具备经由图样制作于绝缘基板上积层形成导电体层或诱电体层制成单位阵列之显示元件,其特征为:前述单位图素之阵列分割成多数个呈现不同光透过率特性之小区域且相邻之前述小区域之分界线之起点与终点所连接之直线上混有具不同光透过率之单位图素。7.如申请专利范围第6项之显示元件,其中前述具相异光透过率之单位图素之间光透过率之差为0.5%以上。8. 如申请专利范围6项之显示元件,其中前述显示元件系液晶显示器。图示简单说明:[图1]根据本发明之一实例所制得之液晶显示装置之一图素部份之概略平面构造之示意图。[图2]显示在图1中沿A-A'线之部份剖面构造图。[图3]显示根据本发明之液晶显示装置之列阵基板上之薄膜在多个条纹区域以分割各区域方式实施曝光处理制程所形成之区域。[图4]显示在图3中相邻条纹区域(小区域)之间界线附近之部份放大图。A-A'线之边沿部份之剖面构造图。[图5]显示根据本发明制得适当液晶显示元件之图素列阵所分割之小区域之部份放大图。[图6]显示在根据本发明之一实例之制造方法中所使用之光罩之遮罩图样之外围形状图。[图7]显示在双重曝光区域形成之图样为细颈形状时之图。[图8]显示本实例之主动矩阵型液晶显示元件理谕上施加电压(信号线电压)-透过率曲线之图。[图9]显示根据本发明分界线之构成图素具随意间距之排列时之图。[图10]显示根据本发明之分界线中设定在1图素内之分界线系多个回横切。[图11]显示一般使用分割曝光方式之装置之显示元件之 |
