| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为,一面将根据纯水或超纯之的电解而生成之离子水,和包含研磨粒子的研磨剂供给研磨布,而使用该研磨布抛光半导体晶片之具有要抛光的主面者。2.如申请专利范围第1项所述的半导体装置之制造方法,其中,前述向研磨布供给前述离子水及前述研磨剂,系根据互相不同的供给装置供给者。3.一种半导体装置之制造方法,其特征为,具有:一面在研磨布的加工点供给包含研磨粒子之研磨剂,使用该研磨布抛光半导体晶片的有要抛光之膜的主要之工程,和根据将纯水或超纯水电解而生成的离子水,使抛光之前述半导体晶片的前述已抛光之膜的表面安定化之工程。4.如申请专利范围第2项所述的半导体装置之制造方法,其中,前述离子水,为 离子水或酸性离子水。5.如申请专利范围第4项所述的半导体装置之制造方法,其中,在前述离子水为 离子水时,将根据酸性离子水使根据抛光生成的废水中和,而在前述离子水为酸性离子水时,将根据 离子水使根据抛光所生成之废液中和。6.如申请专利范围第5项所述的半导体装置之制造方法,其中,前述离子水中酸性离子水,将使前述半导体晶片上的金属所成之将抛光的膜表面安定化,而前述离子水之中性及酸性离子水,将使前述半导体晶片上的氧化物,氮化物,多晶矽及矽单晶中之一所成的将抛光之膜的表面安定化。7.一个半导体制造装置,其特征为,具有;研磨布,和在表面安装有前述研磨布,将根据研磨盘驱动轴旋转的研磨盘,和保持半导体晶片,把该半导体晶片之有要抛光的膜之主面推压在前述研磨布表面之顶环,和把根据电解纯水或超纯水所生成的离子水供给前述研磨布之离子水供给管,和把包含研磨粒子的研磨剂供给前述研磨布之研磨剂供给管。8.如申请专利范围第7项所述的半导体制造装置,其中,前述离子水供给管及前述研磨剂供给管系可动,而将配置在前述研磨布之任意位置上。9.如申请专利范围第8项所述的半导体制造装置,其中,前述离子水供给管及前述研磨剂供给管系在供给口傍一体化者。10.如申请专利范围第9项所述的半导体制造装置,其中,前述研磨盘,系收容在连接有废液管的外围器,而在该废液管安装有止回阀。11.如申请专利范围第10项所述的半导体制造装置,其中,前述研磨盘,系收容在连接有废液管的外围器,而在该废液管安装有沉淀槽。12.如申请专利范围第11项所述的半导体制造装置,其中,前述离子水供给管,系连接在进行纯水式超纯水的电解之电解槽,而在该电解槽,更连接有连接在前述废液管的离子水排出管。图示简单说明:[图1]为本发明之第1实施例的抛光装置之概略斜视图。[图2]为第2实施例的抛光装置之概略断面图。[图3]为使用在图2之抛光装置的电解槽之断面图。[图4]为显示酸性之pH的温度依赖性之特性图。[图5]为显示 离子水之pH的温度依赖性之特性图。[图6]为本发明及已往的抛光装置之断面图。[图7]为显示本发明之抛光装置的研磨剂及离子水之供给管的配置构造之模型式断面图。[图8]为显示本发明之抛光装置的研磨剂及离子水之供给管的配置构造之模型式断面图。[图9]为使用本发明及已往之抛光装置的半导体装置之制造工程断面图。[图10]为使用本发明及已往之抛光装置的半导体装置之制造工程断面图。[图11]为使用本发明及已往之抛光装置的半导体装置之制造工程 |
