| 发明名称 |
ETCHING METHOD FOR HIGH MELTING POINT METAL CONTAINING FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THEREOF AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0963988(A) |
申请公布日期 |
1997.03.07 |
| 申请号 |
JP19950214838 |
申请日期 |
1995.08.23 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
SHIBANO TERUO;NISHIKAWA KAZUYASU |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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