| 主权项 |
1. 一种选择淀积金属膜的方法,用来选择淀积金属膜于形成在半导体基体上的绝缘层的开口内,该开口曝露金属层,半导体层,及半导体基体的至少之一的表面,该方法包含以下步骤:曝露绝缘层的表面及由该开口曝露的表面于由钝气及氢的至少之一构成的气体电浆;曝露绝缘层于含有除氟原子以外的卤素原子的气体;及选择淀积金属膜于绝缘层的开口内。2. 如申请专利范围第1项的方法,其中含有除氟原子以外的卤素原子的该气体为择自由C(@ss2,BC(@ss3,HC(,及CC(@ss4,组成的群类的至少之一。3. 如申请专利范围第1项的方法,其中曝露半导体基体于气体电浆及于含有除氟原子以外的卤素原子的气体的步骤系于相同的真空室内连续实施。4. 如申请专利范围第1项的方法,其中该金属膜为择自由W,Ti,Mo,及Cu组成的群类的至少之一。5. 如申请专利范围第1项的方法,其中该钝气为Ar或He。6. 如申请专利范围第1项的方法,其中曝露半导体基体于含有除氟原子以外的卤素原子的气体的步骤系于-30至60度的基体温度实施。7. 如申请专利范围第1项的方法,其中曝露半导体基体于含有除氟原子以外的卤素原子的气体的步骤系于10至30度的基体温度实施。8. 如申请专利范围第1项的方法,其中淀积金属膜的步骤系于180至260度的基体温度实施。9. 如申请专利范围第1项的方法,其中淀积金属膜的步骤系于200至220度的基体温度实施。图示简单说明:图1为用来说明本发明的原理的平面轮廓图及特性图。图2为用来说明本发明的原理的平面轮廓图。图3为显示退火温度与存留的氯量的关系的特性图。图4为用来说明本发明的原理的平面轮廓图。图5为用于本发明的方法的装置的平面轮廓图。图6为显示相关于本发明的第一实施例的W膜的选择形成过程的剖面图。图7为显示显示本发明的第一实施例的效果的接触电阻与接触孔大小的关系的特性图。图8为显示显示本发明的第一实施例的效果的第一层A(的接线良率的特性图。图9为显示相关于本发明的第二实施例的W膜的选择形成过程的剖面图。图10为显示显示本发明的第二实施例的效果的接触电阻与接触孔大小的关系的特性图。图11为显示显示本发明的第二实施例效果的第一层A(的接线良率的特性图。图12为用于本发明的第三实施例的装置的平面轮廓图。图13为显示相关于本发明的第三实施例的W膜的选择形成过程的剖面图。图14为显示相关于本发明的第四实施例的W膜的选择形成 |
