| 主权项 |
1. 一种应用于平坦化之化学机械研磨装置,该化学机械研磨装置包含:研磨台,系为该化学机械研磨装置之主体;研磨垫,设置于该研磨台之表面,系用以做为研磨晶片之接触表面,该研磨垫之表面具有:(a) 至少一个封闭曲线沟槽;(b) 复数条径向方向沟槽;及(c) 至少一个孔洞;晶片握柄装置,设置于该研磨垫之上且该晶片握柄装置之旋转轴垂直于该研磨垫之表面,系用以将晶片握住并施以压力将该晶片压往该研磨垫之表面上以增进研磨效果;及研浆输送装置,连接于该研磨垫表面之该孔洞,系用以提供路径利于该研浆流至该研磨垫之表面。2. 如申请专利范围第1项之化学机械研磨装置,其中上述之封闭曲线沟槽为不同半径之复数个同心圆,系用以导引上述研浆之流动使其能均匀分布于整个上述之研磨垫之表面上。3. 如申请专利范围第1项之化学机械研磨装置,其中上述之封闭曲线沟槽为复数个同中心之椭圆,系用以导引上述研浆之流动使其能均匀分布于整个上述之研磨垫之表面上。4. 如申请专利范围第1项之化学机械研磨装置,其中上述之径向方向沟槽系由上述之研磨垫之圆心向外辐射状延伸,系用以导引上述研浆之流动使其能均匀分布于整个上述之研磨垫之表面上。5. 如申请专利范围第1项之化学机械研磨装置,其中上述之孔洞系用以提供上述之研浆流出之出口以利研浆流至上述之研磨垫之表面。6. 如申请专利范围第1项之化学机械研磨装置,其中上述之研浆输送装置经由上述之研磨台之内部通过与上述之孔洞连接。7. 如申请专利范围第6项之化学机械研磨装置,其中上述之研浆输送装置于上述之研磨台内部分支为复数条研浆输送管路,系用以提供该研浆之运送路径且传输该研浆至研磨垫表面之不同区域。8. 如申请专利范围第1项之化学机械研磨装置,其中上述之化学机械研磨装置更包含研浆供给装置,该研浆供给装置与上述之研浆输送装置连接,系用以供给研磨该晶片时之研浆。9. 如申请专利范围第1项之化学机械研磨装置,其中上述之化学机械研磨装置更包含旋转装置使研磨台可相对该研磨台之中心轴自转。10. 如申请专利范围第1项之化学机械研磨装置,其中上述之晶片握柄装置可相对该晶片握柄装置之中心轴自转。11. 如申请专利范围第10项之化学机械研磨装置,其中上述之晶片握柄装置可向水平方向震荡。12. 一种应用于平坦化之化学机械研磨装置,该化学机械研磨装置包含:研磨台,系为该化学机械研磨装置之研磨主体;研磨垫,设置于该研磨台之表面,系用以做为研磨晶片之接触表面,该研磨垫之表面具有:(a) 至少一个封闭曲线沟槽,形成于该研磨垫之表面,系用以导引上述研浆之流动使其能均匀分布于整个上述之研磨垫之表面上;(b) 复数条径向方向沟槽,形成于该研磨垫之表面,系用以导引上述研浆之流动使其能均匀分布于整个上述之研磨垫之表面上;(c) 至少一个孔洞,形成于该研磨垫之表面,系用以提供上述之研浆流出之出口以利研浆流至上述之研磨垫之表面;晶片握柄装置,设置于该研磨垫之上且该晶片握柄装置之旋转轴垂直于该研磨垫之表面,系用以将晶片握住并施以压力将该晶片压往该研磨垫之表面上;研浆输送装置,连接于该研磨垫表面之上述孔洞,系用以提供路径利于该研浆流至该研磨垫之表面;及研浆供给装置,该研浆供给装置与上述之研浆输送装置连接,系用以供给研磨该晶片时之研浆。13. 如申请专利范围第12项之化学机械研磨装置,其中上述之封闭曲线沟槽为不同半径之复数个同心圆,系用以导引上述研浆之流动使其能均匀分布于整个上述之研磨垫之表面上。14. 如申请专利范围第12项之化学机械研磨装置,其中上述之封闭曲线沟槽为复数个同中心之椭圆,系用以导引上述研浆之流动使其能均匀分布于整个上述之研磨垫之表面上。15. 如申请专利范围第12项之化学机械研磨装置,其中上述之径向方向沟槽系由上述之研磨垫之圆心向外辐射状延伸,系用以导引上述研浆之流动使其能均匀分布于整个上述之研磨垫之表面上。16. 如申请专利范围第12项之化学机械研磨装置,其中上述之研浆输送装置于上述之研磨台内部通过且分支为复数条研浆输送管路,系用以提供该研浆之运送路径且传输该研浆至研磨垫表面之不同区域。17. 如申请专利范围第12项之化学机械研磨装置,其中上述之化学机械研磨装置更包含旋转装置使研磨台可相对该研磨台之中心轴自转。18. 如申请专利范围第12项之化学机械研磨装置,其中上述之晶片握柄装置可相对该晶片握柄装置之中心轴自转。19. 如申请专利范围第12项之化学机械研磨装置,其中上述之晶片握柄装置可向水平方向震荡。图示简单说明:第一图为本发明之化学机械研磨装置之较佳实施例截面图。第二图为本发明之化学机械研磨装置之较佳实施例俯视图。第三图为本发明之化学机械研磨装置之另一较佳实施例截面图。第四图为本发明之化学机械研磨装置之另一较佳实施例俯 |
