半导体装置之电极构造体、其形成方法、半导体装置之实装体,以及半导体装置

摘要

本发明提供一种可将半导体装置与电路基板容易地作高信赖性接续之半导体装置的电极构造，其形成方法，以及半导体装置之实装体。本发明系在ＩＣ基板上形成铝电极２。又，于该ＩＣ基板１上，以被覆铝电极２周缘部之方式，形成被动膜５。又，于铝电极２上，以导线接合法形成突起电极３。又，在突起电极３之周围所露出的铝电极２的表面，形成铝氧化膜４。而后，在半导体装置之突起电极３的前端部，以转印法或印刷法涂布作为接合层之导电性接着剂８。将半导体装置以面朝下之状态，以突起电极３抵接于电路基板６的端子电极７上之方式进行位置配合，而将该半导体装置积载于电路基板１４上。以此一状态令导电性接着剂８硬化。最后，在ＩＣ基板１与电路基板６之间隙充填绝缘性树脂９。

主权项

1.一种半导体装置之电极构造体,系属一种以面朝下之状态,实装于电路基板的半导体装置之电极构造;其特征系在:备有形成于上述半导体装置之铝电极上的突起电极,以及在上述突起电极之周围露出的铝电极之表面所形成的腐蚀防止用铝氧化膜。2.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之电极构造体,其中该腐蚀防止用铝氧化膜,系在铝电极表面之自然氧化膜上,又形成氧化膜而成。3.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之电极构造体,其中该铝氧化膜之厚度,为铝电极厚度之5-20%。4.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之电极构造体,其中该铝氧化膜之厚度为0.05-0.2um。5.依申请专利范围第1项所述之半导体装置之电极构造体,其中该突起电极系由Au所构成。6.一种半导体装置之电极构造体之形成方法,系以面朝下之状态实装于电路基板的半导体装置之电极构造体之形成方法;其特征系在:在上述半导体装置之铝电极上形成突起电极,在上述突起电极之周围露出的铝电极之表面上,形成腐蚀防止用铝氧化膜。7.依申请专利范围第6项所述之半导体装置之电极构造体之形成方法,其中该突起电极系使用Au导线以导线接合法形成。8.依申请专利范围第6项所述之半导体装置之电极构造体之形成方法,其中该铝氧化膜系藉由将突起电极形成后之半导体装置暴露于高温状态而形成。9.依申请专利范围第8项所述之半导体装置之电极构造体之形成方法,其中该高温状态之温度范围系在200-300℃。10.依申请专利范围第8项所述之半导体装置之电极构造体之形成方法,其中该铝氧化膜系在以200-300℃之温度范围形成突起电极之过程同时形成。11.依申请专利范围第6项所述之半导体装置之电极构造体之形成方法,其中该铝氧化膜系将突起电极形成后的半导体装置浸渍于过硫酸铵或过氧化氢中而形成。12.一种半导体装置之实装体,系备有:具有端子电极之电路基板,以及以面朝下之状态实装于上述电路基板之半导体装置的实装体;其特征系在:具有上述半导体装置之铝电极上形成的突起电极,以及在上述突起电极之周围露出的铝电极之表面所形成的腐蚀防止用铝氧化膜之电极构造体,系介以接合层电接续于上述电路基板上之上述端子电极者。13.依申请专利范围第12项所述之半导体装置之实装体,其中该电路基板系由含有有机系材料之基板所构成。14.依申请专利范围第12项所述之半导体装置之实装体,其中该腐蚀防止用之铝氧化膜,系在铝电极表面之自然氧化膜上又形成氧化膜而成。15.依申请专利范围第12项所述之半导体装置之实装体,其中该接合层系由导电性接着剂所构成。16.依申请专利范围第12项所述之半导体装置之实装体,其中该接合层系由焊料所构成。17.依申请专利范围第12项所述之半导体装置之实装体,其中该半导体装置与电路基板之间隙系由绝缘性树脂所充填。18.依申请专利范围第12项所述之半导体装置之实装体,其中该铝氧化膜之厚度为铝电极厚度之5-20%。19.依申请专利范围第12项所述之半导体装置之实装体,其中该铝氧化膜之厚度为0.05-0.2um。20.依申请专利范围第12项所述之半导体装置之实装体,其中该突起电极为Au。21.一种半导体装置,系属一种实装于电路基板之半导体装置;其特征系在:备有:铝电极,形成于该铝电极上之突起电极,以及在上述突起电极之周围露出的铝电极之表面所形成之腐蚀防止用铝氧化膜。图示简单说明:第一图系本发明半导体装置的实装体的一个实施例之断面图。第二图系本发明半导体装置的实装体的一个实施例之断面图。第三图系习用技术之半导体装置的电极构造之断面图。第四图系习用技术之半导体装置的实装体之断面图。