可降低金属矽化层之反射率的复晶矽化金属制程

摘要

本发明系揭露一种可降低金属矽化层之反射率的复晶矽化金属(ploycide)制程。本发明系利用快速加热氧化(rapid thermal oxidation)处理矽化钨(WSix)薄膜，使其反射率大量降低免除不必再使用防止光反射的薄膜 (ARC layer)的问题，另外快速加热氧化 (Rapid Thermal Oxidation)处理矽化钨薄膜的过程中，矽化钨薄膜表面会长出一层薄的氧化层可以当做硬式罩幕(Hard Mask)，同时因为快速加热氧化的关系也使得矽化钨薄膜的电阻值大量的降低，更增加了元件的速度。

主权项

1.一种可降低金属矽化层之反射率的复晶矽化金属制程,包含:形成一复晶矽层于一矽底材之上;形成一金属矽化层于该复晶矽层之上;以及回火该金属矽化层以形成一具有低反射率的金属矽化层及形成一氧化层于该具有低反射率的金属矽化层之上。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之复晶矽层之厚度约为800-2000埃。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之复晶矽层包含使用一低压化学气相沉积法(LPCVD)沉积而成。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之金属矽化层包含使用一低压化学气相沉积法(LPCVD)沉积而成。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之金属矽化层之厚度约为1000-2000埃。6.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之金属矽化层包含一矽化钨层。7.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之回火步骤包含使用一快速加热氧化制程。8.如申请专利范围第7项所述之制程,其中上述之快速加热氧化制程包含通入氧气。9.如申请专利范围第8项所述之制程,其中上述之氧气的气流量约为4-5SLM。10.如申请专利范围第7项所述之制程,其中上述之快速加热氧化制程包含控制温度于约摄氏1000℃-1500℃。11.如申请专利范围第7项所述之制程,其中上述之快速加热氧化制程包含控制制程之时间约为30-60秒。12.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之氧化层系为一二氧化矽层。13.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之氧化层之厚度约为50-150埃。14.一种可降低金属矽化层之反射率的复晶矽化金属制程,包含:形成一复晶矽层于一矽底材之上,其中该复晶矽层包含使用化学气相沉积法(CVD)沉积而成;形成一金属矽化层于该复晶矽层之上,其中该金属矽化层包含使用化学气相沉积法(CVD)沉积而成;以及回火该金属矽化层以形成一具有低反射率的金属矽化层及形成一氧化层于该具有低反射率的金属矽化层之上,其中该回火制程包含使用快速加热氧化制程,其中该氧化层包含一二氧化矽层。15.如申请专利范围第14项所述之制程,其中上述之复晶矽层之厚度约为800-2000埃。16.如申请专利范围第14项所述之制程,其中上述之金属矽化层之厚度约为1000-2000埃。17.如申请专利范围第14项所述之制程,其中上述之金属矽化层包含一矽化钨层。18.如申请专利范围第1项所述之制程,其中上述之快速加热氧化制程包含通入氧气。19.如申请专利范围第18项所述之制程,其中上述之氧气的气流量约为4-5SLM。20.如申请专利范围第14项所述之制程,其中上述之快速加热氧化制程包含控制温度于约摄氏1000℃-1500℃。21.如申请专利范围第14项所述之制程,其中上述之快速加热氧化制程包含控制制程之时间约为30-60秒。22.如申请专利范围第14项所述之制程,其中上述之氧化层之厚度约为50-150埃。图示简单说明:第一图至第三图所示为本发明之复晶矽化金属制程的各个阶段之晶片剖面结构图。