冷却または加熱装置用ｎ型半導体素子を製造する方法

摘要

冷却または加熱装置用ｎ型半導体素子を製造する方法が開示され、ｎ型半導体素子はテルル材料、ビスマス材料およびセレン材料から作られており、最初に、テルル材料、ビスマス材料およびセレン材料を２０００メッシュ以上となるように破砕および粉砕し；次いで、テルルが４０〜４４部、ビスマスが５３〜５７部、およびセレンが２８〜３２部である重量部による各材料の割合に従って材料を配合して混合物を得る。動作中に、その２つの端部の温度差がより大きく、試験を通して、その低温端と高温端の間の温度差は約７３℃〜７８℃に達する。したがって、このｎ型半導体素子は高い動作効率およびより低いエネルギー消費という利点を有する。このｎ型半導体素子は冷却または加熱装置用半導体を製造するのに特に適している。