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2012131.一种形成具有复晶矽高电阻与复晶矽低电阻于积体电路中之方法,该方法至少包含:形成第一介电层于一晶圆之中做为绝缘层;形成第一复晶矽层于该第一介电层之上;以微影蚀刻制程蚀刻该第一复晶矽层形成导电结构于该第一介电层之上;形成第二介电层于该导电结构之上;形成第二复晶矽层于该第二介电层之上;施以第一次离子植入将离子全面性植入于该第二复晶矽层之中;分杂该第二复晶矽层以形成高电阻区域以及低电阻区域,该低电阻区域位于该导电结构之上,该低电阻区域之表面位置较高电阻区域之表面位置为高;形成一光阻覆盖于高电阻区域且暴露出低电阻区域;以该光阻做为罩幕施以第二次离子植入将离子植入该低电阻区域;去除该电阻。2.如申请专利范围第1项之方法,更包含下列步骤以形成该光阻:形成该光阻于该第二复晶矽层之上及第一介电层之上;及回蚀刻该光阻至低电阻区域之表面,残余之该光阻覆盖于该高电阻之表面做为离子植入之罩幕。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述第一次离子植入之剂量约为1E13至1E15atoms/cm2。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述第一次离子植入之能量约为60至8OKeV。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述第二次离子植入之剂量约为1E14至1E15atoms/cm2。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述第二次离子植入之能量约为60至8OKeV。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一复晶矽层之厚度约为2000至4000埃。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二复晶矽层厚度约为2000至4000埃。9.一种形成具有复晶矽高电阻与复晶矽低电阻于积体电路中之方法,该方法至少包含:形成第一介电层于一晶圆之中做为绝缘层;形成第一复晶矽层于该第一介电层之上;以微影蚀刻制程蚀刻该第一复晶矽层形成导电结构于该第一介电层之上;形成第二介电层于该导电结构之上;形成第二复晶矽层于该第二介电层之上;施以第一次离子植入将离子全面性植入于该第二复晶矽层之中;形成一光阻覆盖于第二复晶矽层之上;回蚀刻该光阻暴露出位于该导电结构上之第二复晶矽层,该被曝露之区域将做为低电阻区域,残余之该光阻覆盖于该第二复晶矽层之表面做为第二次离子植入之罩幕;以该光阻做为罩幕施以第二次离子植入将离子植入该低电阻区域;去除该电阻;及分离该第二复晶矽层以形成高电阻区域以及低电阻区域,该低电阻区域位于该导电结构之上,该低电阻区域之表面位置较高电阻区域之表面位置为高。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述第一次离子植入之剂量约为1E13至1E15 atoms/cm2。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述第一次离子植入之能量约为60至8OKeV。12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述第二次离子植入之剂量约为1E14至1E15 atoms/cm2。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述第二次离子植入之能量约为60至8OKeV。14.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第一复晶矽层之厚度约为2000至4000埃。15.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之第二复晶矽层厚度约为2000至4000挨。图式简单说明:第1A图为一个前案的等角部份截面立体图,其系为填料板以及承载板,而第1B图为一个前案的填料装置的截面侧视图,其显示出一个呈斜向角度的元件。第2图为本发明的一个填料装置的立体等角图。第3图为显示在第二图中的一填料装置的侧视平面图。第4图为显示在第3图中的填料装置顶部支持结构的部份放大等角图。第5图为一个放大的分解等角图,其显示出滑板,对齐的压销体以及其中有填料穿孔的定向销体,以及该显示在第3图中填料装置的承载板。第6A到第6D图为本发明一种填料装置的侧视截面图,其显示出在将元件由一填料板移送到一承载板时将元件方位在一个较佳方向的方法之步骤和顺序。 |
