| 摘要 |
기준 저항을 이용한 발진 회로를 갖는 반도체 칩(CP1)이 수지 밀봉되어 반도체 장치가 형성되어 있다. 발진 회로는, 기준 저항을 이용하여 기준 전류를 생성하고, 이 기준 전류와 발진부의 발진 주파수에 따라서 전압을 생성하고, 생성된 전압에 따른 주파수에서 발진부가 발진한다. 기준 저항은, 반도체 칩(CP1)의 주면의 제1 변(S1, S2, S3, S4)과, 제1 변의 일단과 반도체 칩의 주면의 중심(CT1)을 연결하는 제1 선(42, 43, 44, 45)과, 제1 변의 타단과 반도체 칩의 주면의 중심을 연결하는 제2 선(42, 43, 44, 45)으로 둘러싸인 제1 영역(RG1, RG2, RG3, RG4) 내에, 제1 변에 직교하는 제1 방향(Y)으로 연장되는 복수의 저항체에 의해 형성되어 있다. |
