发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 在利用SOI·CMOS技术的半导体器件中,基本元件按行以PMOS,PMOS,NMOS和NMOS或NMOS,NMOS,PMOS和PMOS的顺序设置,以直接靠近的方式形成其上PMOS和NMOS靠近的扩散层部分。此外,以相邻元件保持共用的方式绕该基本元件设置电源引线和接地引线,设置至少一个PMOS扩散层以便能通过一个接点直接与一电源引线连接,和设置至少一个NMOS扩散层以便能通过一个接点直接与一接地引线连接。 | ||
申请公布号 | CN1202739A | 申请公布日期 | 1998.12.23 |
申请号 | CN98102621.4 | 申请日期 | 1998.06.18 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 岩城宏明 |
分类号 | H01L27/12;H01L27/092;H01L21/768 | 主分类号 | H01L27/12 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
主权项 | 1.在具有硅/绝缘膜结构的半导体基片的主表面上形成的半导体器件,该半导体器件包括构成所述半导体器件内部电路的基本元件,包括:两个PMOS晶体管;和两个NMOS晶体管,其特征在于当所述半导体器件的一侧被定义为X-轴方向时,与该侧成直角的一侧被定义为Y-轴方向,且该PMOS和NMOS晶体管的栅极宽度(W)的方向被定义为Y-轴方向;所述两个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管在所述X-轴方向按照第一PMOS晶体管,第二PMOS晶体管,第一NMOS晶体管,第二NMOS晶体管的第一排列顺序排成一行,或者按照第三NMOS晶体管,第四NMOS晶体管,第三PMOS晶体管,第四PMOS晶体管的第二排列顺序排成一行,当为所述第一排列顺序时,以一种直接相邻的方式形成第二PMOS晶体管的一个扩散层和第一NMOS晶体管的一个扩散层以形成一个集成的扩散层区域;当为所述第二排列顺序时,以一种直接相邻的方式形成第四NMOS晶体管的另一扩散层和第三PMOS晶体管的另一扩散层以形成一个集成的扩散层区域。 | ||
地址 | 日本东京 |