| 摘要 |
<p>Ein durch Implantation dotierter Siliziumcarbid-Halbleiter (10i) wird in einem Gasstrom (12), der praktisch keinen Kohlenstoff an den Siliziumcarbid-Halbleiter (10i) heranführt, thermisch ausgeheilt. In einer vorteilhaften Ausführungsvariante bestehen der Behälter (13), der Träger (16), die Strahlungsschilde (14, 15) und die Bodenplatte (17) zumindest an den Stellen, die mit dem Gasstrom (12) in Kontakt treten, aus einem Metall oder einer Metallverbindung, wie z.B. aus Tantal oder aus Tantalcarbid.</p> |
