| 发明名称 |
STRUCTURE AND FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE |
| 摘要 |
반도체 디바이스 구조물 및 반도체 디바이스 구조물의 형성 방법이 제공된다. 반도체 디바이스 구조물이 반도체 기판 위의 게이트 스택 및 게이트 스택 위의 보호 요소를 포함한다. 보호 요소의 상단이 보호 요소의 하단보다 넓다. 반도체 디바이스 구조물이 또한 보호 요소의 측부 표면 및 게이트 스택의 측벽 위에서 스페이서 요소를 포함한다. 반도체 디바이스 구조물이 반도체 기판 위의 전도성 피쳐에 전기적으로 연결되는 전도성 콘택을 더 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160147617(A) |
申请公布日期 |
2016.12.23 |
| 申请号 |
KR20150145286 |
申请日期 |
2015.10.19 |
| 申请人 |
타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 |
发明人 |
창 처청;린 치이한 |
| 分类号 |
H01L29/66;H01L21/762;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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