发明名称 IMPROVEMENT OF ORGANIC LINE WIDTH ROUGHNESS WITH H2 PLASMA TREATMENT
摘要 패터닝 유기 마스크 아래 배치된 에칭층에서 에칭된 피쳐들을 형성하는데 있어서 초저주파 선폭 조도 (LWR) 를 감소시키기 위한 방법이 제공된다. 패터닝 유기 마스크는 패터닝 유기 마스크의 초저주파 선폭 조도를 감소시키기 위해 처리되는데, 이 처리는, H를 포함하는 처리 가스를 흐르게 하는 단계로서, 처리 가스는 플로우 레이트를 갖고 H는 처리 가스의 플로우 레이트의 적어도 50% 를 갖는, 상기 처리 가스를 흐르게 하는 단계, 처리 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계, 및 처리 가스의 흐름을 중지시키는 단계를 포함한다. 감소된 초저주파 LWR 를 갖는, 처리된 패터닝 유기 마스크를 통해 에칭층이 에칭된다.
申请公布号 KR101690337(B1) 申请公布日期 2016.12.27
申请号 KR20117003635 申请日期 2009.07.07
申请人 램 리써치 코포레이션 发明人 아담스 요코 와이;양 데이비드
分类号 H01L21/3065;H01L21/027 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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