| 主权项 |
1.一种半导体制程中,高温成长的金属薄膜制程之量测薄膜厚度的简易方法,该方法包含:放置一小片晶片于一晶片上;镀一薄膜于该小片晶片及该晶片上;移除该小片晶片以造成一高度差;及量测该高度差。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之小片晶片乃是耐高温之金属片或晶片之碎片。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之薄膜乃金属薄膜。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高度差乃因移除该小片晶片后,该薄膜与该小片晶片原来遮蔽的晶片表面之高度差。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之量测该高度差的方法乃以-step机台扫描过该高度差而获得。6.一种半导体制程中,高温成长的金属薄膜制程之量测薄膜厚度的简易方法,该方法包含:放置一小片晶片于一晶片上,该小片晶片乃是耐高温之金属片或晶片之碎片;镀一薄膜于该小片晶片及该晶片上;移除该小片晶片以造成一高度差;及量测该高度差。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之薄膜乃金属薄膜。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之高度差乃因移除该小片晶片后,该薄膜与该小片晶片原来遮蔽的晶片表面之高度差。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之量测该高度差的方法乃以-step机台扫描过该高度差而获得。10.一种半导体制程中,高温成长的金属薄膜制程之量测薄膜厚度的简易方法,该方法包含:放置一小片晶片于一晶片上,该小片晶片乃是耐高温之金属片或晶片之碎片;镀一薄膜于该小片晶片及该晶圆上,该薄膜乃金属薄膜;移除该小片晶片以造成一高度差;及量测该高度差。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之高度差乃因移除该小片晶片后,该薄膜与该小片晶片原来遮蔽的晶片表面之高度差。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之量测该高度差的方法乃以-step机台扫描过该高度差而获得。13.一种半导体制程中,高温成长的金属薄膜制程之量测薄膜厚度的简易方法,该方法包含:放置一小片晶片于一晶片上,该小片晶片乃是耐高温之金属片或晶片之碎片;镀一薄膜于该小片晶片及该晶片上,该薄膜乃金属薄膜;移除该小片晶片以造成一高度差,该高度差乃因移除该小片晶片后,该薄膜与该小片晶片原来遮蔽的晶片表面之高度差;及量测该高度差。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之量测该高度差的方法乃以-step机台扫描过该高度差而获得。15.一种半导体制程中,高温成长的金属薄膜制程之量测薄膜厚度的简易方法,该方法包含:放置一小片晶片于一晶片上,该小片晶片乃是耐高温之金属片或晶片之碎片;镀一薄膜于该小片晶片及该晶片上,该薄膜乃一金属薄膜;移除该小片晶片以造成一高度差,该高度差乃因移除该小片晶片后,该薄膜与该小片晶片原来遮蔽的晶片表面之高度差;及量测该高度差,该量测的方法乃以-step机台扫描过该高度差而获得。16.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之金属薄膜乃钨薄膜。图式简单说明:第一图a为镀薄膜前晶片的剖面图。第一图b为镀薄膜后晶片的剖面图。第一图c为除去小晶片后晶片与薄膜的剖面图。第一图d为以高度差量测仪器量测薄膜厚度方法示意图。第二图为一典型的高度差量测仪器(-step)所得的结果。 |
