| 主权项 |
1.一种旋涂护罩组之结构改良,该旋涂护罩组系运用于一晶圆旋涂制程中、乃置放于该制程之机台上,该旋涂护罩组系包括有:一底盘,系为一环形座体,乃定位置放于该机台上,其并具有一内环槽、及一同心并环绕于该内环槽外侧之外环槽,而该内环槽之内壁系定义为内环壁;一内盖,系为一环形盖体,乃置放于该底盘上,该内盖之内侧中段又包括一环形崎角,该环形崎角之下缘系结合于该底盘该内环壁之上缘,而该下缘与该上缘之结合处系定义为一结合面;及一上盖,系为一上方具有一开放式上环口之环形盖体,乃置放于该底盘上,用以概括该内盖与该外环槽之上方,该上盖之下缘系与该底盘之该外环槽外侧壁上缘结合,而该上盖与该下盖间系形成一工作空间、用以提供该晶圆之旋涂作业空间,而形成该上环口之该上盖边缘又向该工作空间中突伸出一内环缘,该工作空间在该内环缘非该上环口之一侧,与接近该上盖内壁处系形成一气流之滞流区;其中,该结合面上又包括至少一组之定位结构,藉由该定位结构,用以杜绝该内盖与该底盘于该结合面上之相对滑动;而于该滞流区内、该上盖内壁上又设有延伸至该滞流区中之扰流结构,藉由该扰流结构改变该滞流区中之原气流之流向。2.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该定位结构系为一键槽配合结构者,该键系设于该内盖上,而所配合之凹槽则设于该底盘上。3.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该定位结构系为一键槽配合结构者,该键系设于该底盘上,而所配合之凹槽则设于该内盖上。4.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该定位结构系为一突点与凹陷元配合结构者,该突点系设于该内盖上,而所配合之该凹陷则设于该底盘上。5.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该定位结构系为一突点与凹陷之配合结构者,该突点系设于该底盘上,而所配合之该凹陷则设于该内盖上。6.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该定位结构系为一插销与销孔之配合结构者,该插销系设于该底盘上,而所配合之该销孔则设于该内盖上。7.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该定位结构系为一插销与销孔之配合结构者,该插销系设于该内盖上,而所配合之该销孔则设于该底盘上。8.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该扰流结构系为设于该滞流区之该上盖内壁上之至少一个之突出截流环。9.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该扰流结构系为一填补物,该填补物之设置系自该内环缘非该上环口之一侧、沿该上盖内壁、填实该滞流区上部。10.如申请专利范围第1项所述之旋涂护罩组之结构改良,其中所述之该扰流结构系为一完全填实该滞流区之填补物。11.一种旋涂护罩组之内盖结构,该旋涂护罩组系运用于一晶圆旋涂制程中,该旋涂护罩组包括有一具有一中间内环槽之底盘、一盖在该内环槽上之内盖、及一与该底盘结合并将该内盖涵盖在其与该底盘间之上盖;该内盖之内侧中段又包括一环形崎角,该环形崎角之下缘系结合于该底盘之一内环槽之内壁上缘,而该下缘与该上缘之结合处系定义为一结合面,而该结合面上又包括至少一组之定位结构,藉由该定位结构、杜绝该内盖与该底盘于该结合面之相对滑动。12.如申请专利范围第11项所述之旋涂护罩组之内盖结构,其中所述之该定位结构系为一键槽配合结构者,该键系设于该内盖上,而所配合之凹槽则设于该底盘上。13.如申请专利范围第11项所述之旋涂护罩组之内盖结构,其中所述之该定位结构系为一键槽配合结构者,该键系设于该底盘上,而所配合之凹槽则设于该内盖上。14.如申请专利范围第11项所述之旋涂护罩组之内盖结构,其中所述之该定位结构系为一突点与凹陷之配合结构者,该突点系设于该内盖上,而所配合之该凹陷则设于该底盘上。15.如申请专利范围第11项所述之旋涂护罩组之内盖结构,其中所述之该定位结构系为一突点与凹陷之配合结构者,该突点系设于该底盘上,而所配合之该凹陷则设于该内盖上。16.如申请专利范围第11项所述之旋涂护罩组之内盖结构,其中所述之该定位结构系为一插销与销孔之配合结构者,该插销系设于该底盘上,而所配合之该销孔则设于该内盖上。17.如申请专利范围第11项所述之旋涂护罩组之内盖结构,其中所述之该定位结构系为一插销与销孔之配合结构者,该插销系设于该内盖上,而所配合之该销孔则设于该底盘上。18.一种旋涂护罩组之上盖结构,其中,该旋涂护罩组系运用于一晶圆旋涂制程中,该旋涂护罩组包括有一底盘、一内盖、及一与该底盘结合并将该内盖涵盖在其与该底盘间之上盖;该上盖,系为一上方具有一开放式上环口之环形盖体,其与所涵盖之该下盖间乃形成一工作空间,用以提供该晶圆之旋涂作业空间,而形成该上环口之该上盖边缘又向该工作空间中突伸出一内环缘,在工作空间在该内环缘非该上环口之一侧,与接近该上盖内壁处系形成一气流之滞流区,而于该滞流区内,该上盖内壁上又设有延伸至该滞流区中之扰流结构,藉由该扰流结构改变该滞流区中之原气流之流向。19.如申请专利范围第18项所述之旋涂护罩组之上盖结构,其中所述之该扰流结构系为设于该滞流区之该上盖内壁上之至少一个之突出截流环。20.如申请专利范围第18项所述之旋涂护罩组之上盖结构,其中所述之该扰流结构系为一填补物,该填补物之设置系自该内环缘非该上环口之一侧、沿该上盖内壁、填实该滞流区上部。21.如申请专利范围第18项所述之旋涂护罩组之上盖结构,其中所述之该扰流结构系为一完全填实该滞流区之填补物。图式简单说明:第一图系为习知旋涂护罩组与相关置晶座机台之大部立体分解图。第二图系为图一旋涂护罩组与置晶座机台组合之操作剖面示意图。第三图系为本创作内盖与底盘间定位结构之剖面示意图。第四图系为利用本创作上盖扰流结构第一实施例之上盖部份剖面示意图。第五图系为利用本创作上盖扰流结构第二实施例之上盖部份剖面示意图。第六图系为利用本创作上盖扰流结构第三实施例之上盖部份剖面示意图。 |
