| 主权项 |
1.一种快闪记忆胞的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底已完成该快闪记忆胞之井区与通道区的制作;于该基底上形成一多层膜结构,其中该多层膜结构由下而上依序为一第一介电层、一导体层和一氮化矽层;依序定义该多层膜结构与该基底,以将该多层膜结构图案化,并于该基底中形成一沟渠;于该基底上形成一绝缘层,填入该沟渠,使该绝缘层表面之高度位于该导体层顶部与底部之间;于该多层膜结构的侧壁上形成一导体侧间隙壁,其中该导体侧间隙壁与该导体层共同构成一第一闸极导体层;去除该氮化矽层;于该基底上依序形成一第二介电层与一第二闸极导体层;以及定义该第二闸极导体层、该第二介电层和该第一闸极导体层,以分别形成该快闪记忆体之控制闸极层、介电膜层和浮置闸极层。2.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆胞的制造方法,其中定义该多层膜结构与该基底的方法包括:于该多层膜结构上形成图案化之一罩幕层;以该罩幕层为蚀刻罩幕,蚀刻该多层膜结构与该基底;以及去除该罩幕层。3.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆胞的制造方法,其中形成该绝缘层的方法包括:于该沟渠内壁、该介电层侧壁和该导体层侧壁上形成一衬氧化层;于该基底上形成一氧化层覆盖该多层膜结构,其中该氧化层与该衬氧化层共同构成该绝缘层;去除该多层膜结构上之该绝缘层,且使该绝缘层平坦化;以及回蚀刻该绝缘层。4.如申请专利范围第3项所述之快闪记忆胞的制造方法,其中去除该多层膜结构上之该绝缘层的方法包括化学机械研磨法。5.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆胞的制造方法,其中形成该导体侧间隙壁的方法包括:于该基底上形成一导体材料层;以及回蚀刻该导体材料层,以于该多层膜结构的侧壁形成该导体侧间隙壁。6.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆胞的制造方法,其中该第一介电层包括穿遂氧化层。7.一种快闪记忆体之浮置闸极层的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成图案化的一多层膜结构,其中该多层膜结构包括一导体层;于未被该多层膜结构覆盖之该基底上形成一绝缘层,其中该绝缘层表面之高度位于该导体层顶部与底部之间;以及于高于该绝缘层之该多层膜结构的侧壁上形成一导体侧间隙壁,其中该导体侧间隙壁与该导体层共同构成该快闪记忆体之浮置闸极层。8.如申请专利范围第7项所述之闸极层的制造方法,其中形成该绝缘层的方法包括:于该沟渠内壁、该介电层侧壁和该导体层侧壁上形成一衬氧化层;于该基底上形成一氧化层覆盖该多层膜结构,其中该氧化层与该衬氧化层共同构成该绝缘层;去除该多层膜结构上之该绝缘层,且使该绝缘层平坦化;以及回蚀刻该绝缘层。9.如申请专利范围第7项所述之闸极层的制造方法,其中形成该导体侧间隙壁的方法包括:于该基底上形成一导体材料层;以及回蚀刻该导体材料层,以于该多层膜结构的侧壁形成该导体侧间隙壁。图式简单说明:第一图A至第一图J是依照发明一较佳实施例,一种NAND结构快闪记忆胞之制造流程的剖面示意图;第二图是第一图A的上视图;第三图是第一图J的上视图;以及第四图是第三图IV-IV截面之剖面示意图。 |
