| 主权项 |
1.一种对准分子雷射照射的光学部件之耐久性预测方法,其特征在于,系具有:第1步骤,在光学部件的吸收系数和照射的准分子雷射之累计脉冲数的关系是近直线时之直线领域中,求出将第1既定照射能量密度的准分子雷射照射在前述光学部件时之前述光学部件中的氢浓度及/或氯浓度和吸收系数的相关,以及照射能量密度及累计脉冲数和吸收系数的相关,从这些相关求出在前述直线领域的吸收系数和氢浓度及/或氯浓度,和照射能量密度及累计脉冲数的第1关系式;第2步骤,在考虑到前述光学部件的饱和吸收系数的饱和领域中,求出将前述第1既定照射能量密度的准分子雷射照射前述光学部件时的饱和吸收系数和照射能量密度的相关、及该饱和吸收系数和前述光学部件中的氢浓度及/或氯浓度的相关,从这些相关求出在前述饱和领域的吸收系数和照射能量密度和氢浓度及/或氯浓度的第2关系式;以及第3步骤,求出:将前述光学部件中的氢浓度及/或氯浓度和照射的准分子雷射之照射能量密度和累计脉冲数代入前述第1关系式所得的在前述直线领域的吸收系数的变化,以及,将前述光学部件中的氢浓度及/或氯浓度和照射的准分子雷射之照射能量密度代入前述第2关系式所得的在前述饱和领域的吸收系数的値;基于藉此所求出之对于第2既定照射能量密度的准分子雷射之前述光学部件的透过率变化,以预测前述光学部件的耐久性。2.如申请专利范围第1项之对准分子雷射照射的光学部件之耐久性预测方法,其中,前述第1既定照射能量密度是0.01-10000mJ/cm2pulse,前述第2既定照射能量密度是0.00001-100mJ/cm2pulse。3.如申请专利范围第1或第2项之对准分子雷射照射的光学部件之耐久性预测方法,其中,前述光学部件是石英玻璃。4.如申请专利范围第1或第2项之对准分子雷射照射的光学部件之耐久性预测方法,其中,用将构造的因子、氟、OH基及准分子雷射的脉冲宽的影响以统计学求出的系数补正前述第1关系式。5.如申请专利范围第3项之对准分子雷射照射的光学部件之耐久性预测方法,其中,用将构造的因子、氟、OH基及准分子雷射的脉冲宽的影响以统计学求出的系数补正前述第1关系式。6.一种石英玻璃光学部件之选择方法,系藉由申请专利范围第3或第4或第5项之对准分子雷射照射的光学部件之耐久性预测方法,以选择对于申请专利范围第2项之前述第2既定照射能量密度的准分子雷射之透过率变化是3%/cm以下的石英玻璃光学部件。图式简单说明:第一图系显示准分子照射实验装置的概略图。第二图系显示藉ArF准分子雷射照射被诱发的石英玻璃的直线领域193.4nm吸收系数的能量密度依存性的图。第三图系显示藉ArF准分子雷射照射被诱发的石英玻璃的直线领域193.4nm吸收系数的累计脉冲数依存性的图。第四图系显示藉ArF准分子雷射照射被诱发的石英玻璃的直线领域193.4nm吸收系数的石英玻璃中的溶存氢分子浓度依存性的图。第五图系显示藉ArF准分子雷射照射被诱发的石英玻璃的193.4nm饱和吸收系数的能量密度依存性的图。第六图系显示藉溶存氢分子浓度的ArF准分子雷射累计脉冲数和石英玻璃的透过率的关系的图。第七图系显示藉ArF准分子雷射照射被诱发的石英玻璃的193.4nm饱和吸收系数的溶存于石英玻璃中的氯浓度依存性的图。第八图系显示将对于根据本发明的预测式的ArF准分子雷射累计脉冲数的石英玻璃的透过率变化,和实际的透过率变化比较的图。 |
