| 发明名称 |
Semiconductor device having fin active regions and method of fabricating the same |
| 摘要 |
기판상에 서로 평행하게 연장하는 핀 액티브 영역들, 상기 핀 액티브 영역들을 정의하는 아이솔레이션 영역, 상기 핀 액티브 영역들과 수직으로 교차하고 서로 평행하게 연장하는 게이트 패턴들, 상기 게이트 패턴들 사이의 상기 핀 액티브 영역들 상의 소스/드레인 영역들 및 상기 핀 액티브 영역들의 측면들과 접하고, 상기 핀 액티브 영역들 사이의 상기 아이솔레이션 영역의 표면을 덮는 핀 액티브 스페이서들을 포함하고, 상기 핀 액티브 스페이서들의 최상부 레벨들은 상기 핀 액티브 영역들과 상기 소스/드레인 영역들 간의 경계면들보다 높고, 및 상기 아이솔레이션 영역의 표면은 상기 소스/드레인 영역들의 하면들보다 낮은 반도체 소자가 설명된다. |
| 申请公布号 |
KR20160125208(A) |
申请公布日期 |
2016.10.31 |
| 申请号 |
KR20150056097 |
申请日期 |
2015.04.21 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
PARK, MI SEON;YOO, JONG RYEOL;LEE, HYUN JUNG;TAK, YONG SUK;KOO, BON YOUNG;KIM, SUN JUNG |
| 分类号 |
H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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