| 主权项 |
1.一种制造BiCMOS的方法,其中互补型金氧半导体电晶体和双极电晶体制作在同一基板上。包含以下步骤:提供一含有选定浓度之第一传导型态杂质之半导体基板;在此半导体基板上形成底纹氧化层,作为隔离元件之用,在一连续直线上定义出含有两个主动区域之第一群主动区,和含有五个主动区之第二群主动区;形成第一光罩图样,将所述之第二群主动区中央三个主动区裸露在外;将与第一传导型态相反之第二传导型态杂质布値于已形成第一光罩图样结果之第一基板上,在中央三个主动区表面形成有第一深度之埋入层;形成第二光罩图样,将第一群主动区之任一主动区和第二群主动区两侧之两个主动区裸露在外;将第二传导型态之杂质布植于已形成第二光罩图样结果之第二基板,而形成第一井状区域,其中第二传导型态之杂质分布于第二群主动区中两个曝露之主动区表面下第二深度范围,且此第一井状区域与埋入层互相重叠;形成第三光罩图样,将第一部份剩下的主动区裸露在外;将第一传导型态杂质布植于已形成第三光罩图样结果之第三基板,形成第二井状区域,其中第一传导型态之杂质分布于第一群主动区中剩余之主动区表面下第三深度范围。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一传导型态为P型,且第二传导型态为N型。3.如申请专利范围第1项之方法,其中第一传导型态为N型,且第二传导型态为P型。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之半导体基板的浓度在每平方公分81015至81016个离子的范围内。5.如申请专利范围第1项之方法,其中之埋入层是将磷离子以大约1百万电子伏特至2百万电子伏特的布植能量,每平方公分51012至51013个离子的剂量布植。6.如申请专利范围第1项之方法,其中第一光罩图样的厚度约为3微米至5微米的范围内。7.如申请专利范围第1项之方法,其中第一光罩图样的厚度约为2微米至4微米的范围内。8.如申请专利范围第1项之方法,其中第一井状区域的制作包含下列步骤:第一次以1.5百万电子伏特之布値能量,每平方公分51012个离子之剂量布植磷离子;第二次以180千电子伏特至250千电子伏特之布植能量,每平方公分51012至21013个离子之剂量布植磷离子;第三次以30千电子伏特至80千电子伏特之布植能量,每平方公分21012至81012个离子之剂量布植磷离子。9.如申请专利范围第1项之方法,其中第二井状区域的制作包含下列步骤:第一次以500千电子伏特至700千电子伏特之布植能量,每平方公分11013至51013个离子之剂量布植硼离子;第二次以70千电子伏特至120千电子伏特之布植能量,每平方公分51012至21013个离子之剂量布植硼离子;第三次以10千电子伏特至30千电子伏特之布植能量,每平方公分11012至51012个离子之剂量布植硼离子。10.如申请专利范围第1项之方法,再多加一个步骤:在所述之形成埋入层之离子布植步骤前,在所有的主动区上形成有选定厚度之屏蔽氧化层。11.一种制造BiCMOS的方法,其中互补型金氧半导体电晶体和双极电晶体制作在同一基板上。包含以下步骤:提供一含有选定浓度之第一传导型态杂质之半导体基板;在此半导体基板上形成底纹氧化层,作为隔离元件之用,在一连续直线上定义出含有两个主动区域之第一群主动区,和含有五个主动区之第二群主动区;形成第一光罩图样,将所述之第二群主动区中央三个主动区裸露在外;将与第一传导型态相反之第二传导型态杂质布値于已形成第一光罩图样结果之第一基板上,在中央三个主动区形成有第一深度之第一埋入层;将第一传导型态之杂质布植于已形成第一埋入层结果之第二基板,在中央三个主动区表面下第二深度范围内形成第二埋入层,该第二深度小于所述之第一深度;形成第二光罩图样,将第一群主动区之任一主动区和第二群主动区两侧之两个主动区裸露在外;将第二传导型态之杂质布植于已形成第二光罩图样结果之第三基板,而形成第一井状区域,其中第二传导型态之杂质分布于第二群主动区中两个曝露之主动区表面下第三深度范围,且此第一井状区域与第一埋入层互相重叠;形成第三光罩图样,将第一部份剩下的主动区裸露在外;将第一传导型态杂质布植于已形成第三光罩图样结果之第四基板,形成第二井状区域,其中第一传导型态之杂质分布于第一部份剩余之主动区表面下第四深度范围。12.如申请专利范围第11项之方法,其中第一传导型态为P型,且第二传导型态为N型。13.如申请专利范围第11项之方法,其中第一传导型态为N型,且第二传导型态为P型。14.如申请专利范围第11项之方法,其中之第一埋入层是将磷离子以大约1百万电子伏特至2百万电子伏特的布植能量,每平方公分51012个离子至51013个离子的剂量布植。15.如申请专利范围第11项之方法,其中之第二埋入层是将硼离子以大约60千电子伏特至200千电子伏特的布植能量,每平方公分51012个离子至51013个离子的剂量布植。16.如申请专利范围第11项之方法,其中第一井状区域的制作包含下列步骤:第一次以约700千电子伏特至1.5百万电子伏特之布値能量,每平方公分51012至51013个离子之剂量布植磷离子;第二次以180千电子伏特至250千电子伏特之布植能量,每平方公分51012至21013个离子之剂量布植磷离子;第三次以30千电子伏特至80千电子伏特之布植能量,每平方公分21012至81012个离子之剂量布植磷离子。17.如申请专利范围第11项之方法,其中第二井状区域的制作包含下列步骤:第一次以500千电子伏特至700千电子伏特之布植能量,每平方公分11013至51013个离子之剂量布植硼离子;第二次以70千电子伏特至120千电子伏特之布植能量,每平方公分51012至21013个离子之剂量布植硼离子;第三次以10千电子伏特至30千电子伏特之布植能量,每平方公分11012至51012个离子之剂量布植硼离子。18.如申请专利范围第11项之方法,再多加一个步骤:在所述之形成第一埋入层之离子布植步骤前,在所有的主动区上形成有选定厚度之屏蔽氧化层。图式简单说明:第一图A至第一图E为描述传统制造BiCMOS方法之横截面简图。第二图A至第二图D为依据本发明之一具体实施例方法制造BiCMOS之横截面简图。 |
