| 主权项 |
1.一种嵌入式动态随机存取记忆体之金属化平坦化之方法,一基底定义有一记忆体区与一逻辑元件区;该方法包括:在该基底上形成一第一内介电层,该第一内介电层在该记忆体区与该逻辑元件区具有一高度落差;在该逻辑元件区形成一第一金属层,该第一金属层以一接触窗与该逻辑元件区之一源/汲极区电性耦接;在该逻辑元件区形成一经平坦化之第二内介电层,使该第二内介电层与该记忆体区之该第一内介电层表面同高;以及形成一第二金属层,该记忆体区之该第二金属层至少与该记忆体区之一源/汲极区电性耦接,该逻辑元件区之该第一金属层以一介层窗与该逻辑元件区之该第二金属层连接;其中,该第一金属层未具有侧向连接图案。2.如申请专利范围第1项所述嵌入式动态随机存有记忆体之金属化平坦化方法,其中该第一金属层包括钛。3.如申请专利范围第1项所述嵌入式动态随机存取记忆体之金属化平坦化方法,其中该第一金属层包括氮化钛。4.如申请专利范围第1项所述嵌入式动态随机存取记忆体之金属化平坦化方法,其中该第一金属层包括钨。5.如申请专利范围第1项所述嵌入式动态随机存取记忆体之金属化平坦化方法,在该逻辑元件区形成一经平坦化之第二内介电层更包括在该基底上形成一第二内介电层;以及以化学机械研磨法平坦化该第二内介电层,暴露出该记忆体区之该第一内介电层。6.如申请专利范围第1项所述嵌入式动态随机存取记忆体之金属化平坦化方法,在该基底上形成一第一内介电层后,更包括以化学机械研磨法平坦化该第一内介电层的步骤。7.如申请专利范围第1项所述嵌入式动态随机存取记忆体之金属化平坦化方法,其中该第一金属层作为一假电路图案,以该接触窗与该介层窗连接该逻辑元件区之该源/汲极区与该第二金属层,用以减少该高度落差。图式简单说明:第一图A至第一图C系显示一种嵌入式动态随机存取记忆体之金属化方法;以及第二图A至第二图D系显示根据本发明较佳实施例嵌入式动态随机存取记忆体之金属化平坦化方法。 |
