| 主权项 |
1.一种用于一圆盘状物件(16)蚀刻处理之装置,特别系指一晶圆,其具有一设施(12)用以于不接触的状态下容纳该圆盘状物件(16),以及至少两个导向构件(18)与该设施(12)正交地配置,而于该圆盘状物件(16)之周边限制其位置,其特征在于至少一个喷嘴设施(20)与每个导向构件(18)相连接,通过其中气态的处理介质可被导入抵住该圆盘状物件(16)之底部表面(16u),直接与个别的导向构件(18)相邻。2.根据申请专利范围第1项之装置,其中每个喷嘴设施(20)包括一气体供给通道,于为该导向构件(18)所包围之一假想的表面部分中延伸。3.根据申请专利范围第1项之装置,其中每个喷嘴设施(20)可调整至与该圆盘状物件(16)之平面形成>1且<90之角度。4.根据申请专利范围第3项之装置,其中每个喷嘴设施(20)可调整至与该圆盘状物件(16)之平面形成>10且<60之角度。5.根据申请专利范围第1项之装置,其中每个喷嘴设施(20)配置于外侧,且与一区域形成一间隔距离,横过该区域根据白努利原理,于该设施(12)及该圆盘状物件(16)之间形成一气体垫。6.根据申请专利范围第1项之装置,其中每个喷嘴设施(20)可调整使得该相连之气体处理介质至少于该内部侧,冲击环绕该导向构件(18)。7.根据申请专利范围第1项之装置,其中气体处理介质供给通过该喷嘴设施(20)之部分至少为该气体处理介质流动抵住该圆盘状物件(16)之该底部表面之总量的10%。8.根据申请专利范围第1项之装置,其中每个导向构件(18)可关于该圆盘状物件(16)定位于至少两个不同的位置上。图式简单说明:第一图显示本发明实施例之部分截面图。 |
