| 主权项 |
1.一种增益型晶圆电镀制程,至少包含下列步骤:提供一已完成积体电路制作的晶圆,其一表面以一第一绝缘层形成保护并曝露出复数个电性连接垫;在该第一绝缘增上形成与该电性连接垫相连接之埠端重布(I/O Redistribution)线路,其中该埠端重布线路并延伸至该晶圆之切割道(Scribe Line)上而在该切割道上形成牺牲电路,该牺牲电路系作为电镀时对外部电性连接之配电线路;在该第一绝缘层上形成一第二绝缘层以保护该埠端重布线路,并曝露出重布之电性连接垫;在该第二绝缘层上形成一光阻层,并开出对应该重布之电性连接垫的窗口;在该重布之电性连接垫上电镀形成焊料凸块;除去该光阻层;回焊该焊料凸块;以及割切该晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之增益型晶圆电镀制程,更包含在该重布之电性连接垫上形成焊接金相层(UBM Layer)的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之增益型晶圆电镀制程,其中该焊接金相层系以电镀方式形成。4.如申请专利范围第2项所述之增益型晶圆电镀制程,其中该焊接金相层系以非电解电镀(Electroless Plating)方式形成。5.如申请专利范围第1项所述之增益型晶圆电镀制程,在切割该晶圆的步骤前,更包含对该焊料凸块进行表面电镀改质的步骤。6.如申请专利范围第1项所述之增益型晶圆电镀制程,在切割该晶圆的步骤前,更包含对该焊料凸块进行电镀修补的步骤。7.如申请专利范围第1项所述之增益型晶圆电镀制程,其中该牺牲电路被计设为仅需单次切割,即可切断每一该电性连接垫间的电性连接。8.如申请专利范围第1项所述之增益型晶圆电镀制程,其中该第二绝缘层为感光性聚亚醯胺层(PSPI)。9.一种增益型晶圆电镀制程,至少包含下列步骤:提供一已完成积体电路制作的晶圆,其一表面以一第一绝缘层形成保护并曝露出复数个电性连接垫;在该第一绝缘层上形成适当之连接线路与该电性连接垫相连接,其中该连接线路延伸至该晶圆之切割道(Scribe Line)上而在该切割道上形成牺牲电路,该牺牲电路系作为电镀时对外部电性连接之配电线路;在该第一绝缘层上形成一第二绝缘层以保护该连接线路,并开出对应该电性连接垫之窗口;在该第二绝缘层上形成一光阻层,亦开出对应该电性连接垫的窗口;在该电性连接垫上电镀形成焊料凸块;除去找光阻层;回焊该焊料凸块;以及割切该晶圆。10.如申请专利范围第9项所述之增益型晶圆电镀制程,更包含在该电性连接垫上形成焊接金相层(UBM Layer)的步骤。11.如申请专利范围第10项所述之增益型晶圆电镀制程,其中该焊接金相层系以电镀方式形成。12.如申请专利范围第10项所述之增益型晶圆电镀制程,其中该焊接金相层系以非电解电镀(Electroless Plating)方式形成。13.如申请专利范围第9项所述之增益型晶圆电镀制程,在切割该晶圆的步骤前,更包含对该焊料凸块进行表面电镀改质的步骤。14.如申请专利范围第9项所述之增益型晶圆电镀制程,在切割该晶圆的步骤前,更包含对该焊料凸块进行电镀修补的步骤。15.如申请专利范围第9项所述之增益型晶圆电镀制程,其中该牺牲电路被计设为仅需单次切割,即可切断每一该电性连接垫间的电性连接。16.如申请专利范围第9项所述之增益型晶圆电镀制程,其中该第二绝缘层为感光性聚亚醯胺层(PSPI)。图式简单说明:第一图A-第一图D绘示习知的一种在晶圆上电镀焊料凸块的制程之流程剖面图。第二图A-第二图H绘示根据本发明的一种晶圆电镀制程之流程剖面图。第三图A、第三图B绘示在该重布之电性连接垫上先形成焊接金相层然后再形成光阻层的步骤之剖面图。第四图绘示根据本发明的一种在晶圆切割道上的牺牲电路设计。 |
