| 主权项 |
1.一种构制于具有一第一面或前面及一第二面或背面之一基体上之结构,此基体为欲由KOH反应剂蚀刻之半导体基础材料所制,此结构包含至少一区安排于该前面上,为能由该反应剂蚀刻之材料所制,其中,该结构包含一金属薄膜构制于该前面上,以覆盖至少该区,此金属薄膜包含对该反应剂有抵抗力之至少一外金层。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中,该至少一金层安排于用作扩散障壁及附着促进层之一中间金属层上。3.如申请专利范围第2项所述之结构,其中,该中间金属层为TiW,TiN,或TiW:N所制。4.如申请专利范围第1项所述之结构,其中,该至少一金层为一溅散之金层。5.如申请专利范围第1项所述之结构,其中,该至少一金层为一第一溅散金层及电沉积于第一金层上之一第二金层所构成。6.如申请专利范围第1项所述之结构,其中,该至少一金层作用如电丘之电沉积之涂镀基层。7.一种制造一结构于具有一第一面或前面及一第二面或背面之一基体上之方法,此基体为欲由KOH反应剂蚀刻之半导体基础材料所制,此方法包括一第一步骤及一第二步骤,在第一步骤之期间中,能由KOH反应剂蚀刻之材料所制之至少一区构制于该前面上,及在第二步骤之期间中,该基体由KOH反应剂蚀刻,其中,在第二步骤之前,包含至少一外金层之一金属薄膜构制于该结构之该前面上,以覆盖至少该区,并防止至少该区在第二步骤期间中由KOH反应剂蚀刻。8.一种制造具有一膜层之积体感测器之方法,该积体感测器构制于具有一第一面或前面及一第二面或背面之一基体上,此基体为欲由KOH反应剂蚀刻之半导体材料所制,此方法包括至少:一第一步骤,包括构制一介质层于基体.之前面上,及至少一连接垫于介质层上,此连接垫为能由KOH反应剂蚀刻之材料所制;一第二步骤,包括制造至少一电丘于连接垫上;及一第三步骤,包括由反应剂蚀刻基体之背面,以形成积体感测器之膜层,其中,在第二步骤之期间中,构制一金属薄膜于前面上,以覆盖至少连接垫,此金属薄膜包含至少一外金层,此在第二步骤之期间中用作制造该至少一电丘之涂镀基层,并在第三步骤之期间中用作防止反应剂蚀刻之保护。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中,在构制外金层之前,构制一中间金属层于该前面上,此中间金属层作用如扩散障壁及附着促进层。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,在构制外金层之前,构制一中间金属层于该前面上,此中间金属层作用如扩散障壁及附着促进层。11.如申请专利范围第9或10项所述之方法,其中,该中间金属层为TiW,TiN,或TiW:N所制。12.如申请专利范围第7或8项所述之方法,其中,该中间金属层由溅散法制造。13.如申请专利范围第7或8项所述之方法,其中,为制造该外金层,由溅散法制造一第一金层,及由电沉积法制造一第二金层于第一金层上。图式简单说明:图1显示含有本发明之保护金属薄膜之一结构之第一改变;图2显示含有本发明之保护金属薄膜之一结构之第二改变;图3a至3g显示依赖本发明之保护金属薄膜制造具有电膜层之积体感测器之步骤;及图4显示在使用本发明之金属薄膜在一结构上蚀刻操作之终合格率之变化。 |
