| 摘要 |
<p>기판, 기판상에 형성된 반도체영역, 및 반도체영역을 직접 접촉하도록 형성된, 컨택트층으로 컨택트저항을 현저히 감소시키는 정도의 Si를 포함한 Si 함유량이 높은 실리사이드층을 포함하는 반도체 장치가 기재되어 있다. 기판상에 선택적으로 소망 도전형의 반도체영역을 형성하는 공정, 반도체영역의 전면에 Co-Si 합금층을 형성하는 공정, Co-Si 합금층의 전면 또는 그 일부에 Si를 도입하는 공정, Co-Si 합금층의 일부에 Ti 함유층을 형성하는 공정, 및 기판을 열처리하고, 도입된 Si를 Co-Si 합금층 및 Ti 함유층과 반응시켜, 컨택트저항을 현저히 감소시키는 정도의 실리콘을 포함한 Si 함유량이 높은 실리사이드층을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법이 기재되어 있다.</p> |
