| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 소정의 공정을 통해 하부 구조가 형성된 반도체 기판 상부에 층간 절연막을 형성 공정, 웨팅층 형성 공정, 패시베이션 공정 및 열처리 공정을 실시하는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 티타늄막을 50 내지 400Å의 두께로 증착하고, 상기 층간 절연막과 티타늄막 사이의 계면에서 생성되는 티타늄실리사이드를 제거하기 위해 상기 층간 절연막을 식각하며, 상기 패시베이션막을 형성하기 위한 소오스 가스인 SiH/O의 비율 및 HF 파워를 조절하고, 상기 열처리 공정을 질소 분위기에서 실시하는 공정중 적어도 어느 한 공정을 선택적으로 실시하므로써 반도체 소자의 리플레쉬 특성을 향상시켜 안정된 소자의 동작 및 전력 소모를 줄일 수 있다.</p> |
