| 主权项 |
1.一种发光元件矩阵阵列,其特征为,包含有:半绝缘型基板;及多个组合元件,系分别由电晶体与发光二极体构成,呈直线状地配列形成于上述半绝缘型基板上者,将上述组合元件分为各n个(n为2以上的整数)群组,将含于各群组的电晶体的基极与具共通滙流排构造的n根基极选择线连接,将含于上述群组的发光二极体的正极或负极与每一群组的1个端子连接。2.一种发光元件矩阵阵列,其特征为,包含有:半绝缘型基板;及多个组合元件,系分别由电晶体与发光二极体构成,呈直线状地配列形成于上述半绝缘型基板上者,将上述组合元件分为各n个(n为2以上的整数)群组,将含于各群组的发光二极体的正极或负极与具共通滙流排构造的n根正极或负极选择线连接,将含于各群组的电晶体的基极与每一群组的1个端子连接。3.如申请专利范围第1或2项之发光元件矩阵阵列,其中上述组合元件,系藉由npn或pnp的3层构造制作而成者。4.一种发光元件矩阵阵列,其特征为,包含有:半绝缘型基板;多个发光二极体,系呈直线状地配列形成于上述半绝缘型基板上者,上述多个发光二极体被分为各n个(n为2以上的整数)群组;及多个电晶体,系形成于上述半绝缘型基板上,且一一对应地与各群组的发光二极体连接,将含于各群组的发光二极体的正极或负极与具共通滙流排构造的n根正极或负极选择线连接,将各电晶体的基极分别与1个端子连接。5.如申请专利范围第4项之发光元件矩阵阵列,其中上述电晶体与发光二极体,系藉由npn或pnp的3层构造制作而成者。图式简单说明:图1为显示习知LED矩阵阵列的图。图2为显示习知发光闸流体/矩阵阵列的图。图3A为组合元件的俯视图。图3B为沿图3A的X-X'线的剖面图。图4为组合元件的等效电路图。图5为显示组合元件的制作制程的图。图6为显示实施例1的发光元件矩阵阵列的图。图7为显示实施例2的发光元件矩阵阵列的图。图8为显示实施例3的发光元件矩阵阵列的图。 |
