适于大量生产半导体装置之有效率半导体封装方法

摘要

本发明利用一雷射以自使用在半导体封装机具内的模具去除如油脂、蜡及树脂残留等污染物。此利用雷射之污染物去除过程包括发射一束雷射至具有污染物的表面。此雷射以脉冲传送，其只维持一短期间。要完全去除污染物可能需要数个脉冲。由于每个脉冲的覆盖面积通常还小于模具表面的总面积，必须移动雷射直到整个模具表面都已曝露在雷射下。由于当雷射分解污染物时会产生气体，应该使用一些型式的真空以去除残留气体与其他残骸。

主权项

1.一种适于大量生产半导体装置之有效率半导体封装方法,该半导体封装方法使用一具有二等分模具之传统半导体封装工具,该方法包含:a)将一载有晶片之基体放置于该等等分模具间;b)关闭该等等分模具;c)将一树脂材料注入于该等等分模具间以密封该载有晶片之基体;d)加热并加压以固化该树脂材料;e)移除该密封载有晶片之基体;f)将一雷射光束导入一具有因该树脂材料而产生之表面污染物之该等模具之表面覆盖区域,直至所有表面污染物实质上皆由该覆盖区域移除为止;g)将该雷射光束导入该等模具之一新表面覆盖区域直至所有表面污染物实质上皆由该覆盖区域移除;及h)重覆该步骤g)直至所有表面污染物实质上皆由该等等分模具移除。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该雷射光束为一KrF准分子脉冲雷射。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该雷射光束系发射于149至301mJ/cm2之功率范围间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该雷射光束系发射于248毫微米(nanometer)之波长。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该雷射光束具有23毫微秒(nanosecond)之脉冲宽度。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该雷射光束系发射于一非垂直于该等模具表面之角度。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该覆盖区域约为1cm2。8.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该雷射光束系发射于149至301mJ/cm2之功率范围间。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该雷射光束系发射于248毫微米(nanometer)之波长。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该雷射光束具有23毫微秒(nanosecond)之脉冲宽度。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该雷射光束系发射于一非垂直于该等模具表面之角度。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该覆盖区域约为1cm2。图式简单说明:第1图为典型上使用在半导体封装机械中位于模具邻近之本系统应用实施例的结构图。第2图为本系统应用实施例之光束传送总成的结构图。第3图为本系统应用实施例所用之X-Y桌面的结构图。第4图为一Auger Electron Spectroscopy (AES)光谱图显示典型上在进行本发明之雷射清洗过程前,在使用于半导体封装机械之模具上发现的污染层深度剖面。第5图为一Auger Electron Spectroscopy (AES)光谱图显示典型上在进行本发明之雷射清洗过程后,在使用于半导体封装机械之模具上发现的污染层深度剖面。第6图为一Auger Electron Spectroscopy (AES)光谱图显示典型上在进行本发明之雷射清洗过程后连续一小时,在使用于半导体封装机械之模具上发现的污染层深度剖面。