| 主权项 |
1.一种矽镜面晶圆的制造方法,系具有将热处理炉之反应管与供应非氧化性原料瓦斯之供应管线由连接部予以连接,且介该供应管线及连接部向该反应管内供应非氧化性瓦斯,而将经镜面抛光之矽晶圆于热处理炉内之非氧化性瓦斯气氛下进行热处理之工程,其特征在于:将向上述进行热处理之热处理炉反应管内予以供应之非氧化性瓦斯所含不纯物含量控制于3ppm以下。2.如申请专利范围第1项之矽镜面晶圆的制造方法,其中上述非氧化性瓦斯所含不纯物系为上述非氧化性原料瓦斯中所含之不纯物及/或自上述连接部侵入于上述反应管内之外气。3.如申请专利范围第1项之矽镜面晶圆的制造方法,其中上述连接部系被设成凸缘构造4.如申请专利范围第1项之矽镜面晶圆的制造方法,其中系将上述热处理中之上述非氧化性原瓦斯供应量设为15公升/min以上。5.如申请专利范围第1项之矽镜面晶圆的制造方法,其中上述非氧化性原料瓦斯系为氩气或含爆发下限以下之氢气之氩气。6.如申请专利范围第1项之矽镜面晶圆的制造方法,其中上述热处理系以横型炉进行。7.如申请专利范围第1项之矽镜面晶圆的制造方法,其中上述热处理系以纵型炉进行。8.一种矽镜面晶圆,系由申请专利范围第1-7之任一项矽镜面晶圆的制造方法所制造,其特征在于:其晶圆全面之雾状水准为0.1ppm以下,22m领域之P-V値为1.5nm以下,Rms値为1.5nm以下。9.一种热处理炉,系以连接部连接热处理炉之反应管与供应管线,且介供应管线及连接部对该反应管供应非氧化性原料瓦斯,将经镜面抛光之矽晶圆在该热处理炉内之非氧化性瓦斯气氛下进行热处理,其特征在于:上述热处理中之自上述连接部之外气侵入量为非原料瓦斯供应量之1ppm以下。10.如申请专利范围第9项热处理炉,其中上述连接部系呈凸缘构造。11.如申请专利范围第9项热处理炉,其中上述非氧化性原料瓦斯系为氩气或含爆发下限以下之氢气之氩气。图式简单说明:图1为本发明热处理炉之反应管(石英管本体)与非氧化性原料瓦斯供应管线之连接部之一构造例示剖面概略说明图。图2为习知热处理炉之反应管(石英管本体)与与非氧化性原料瓦斯供应管线之连接部构造一例示剖面概略说明图。图3为习知热处理炉之构造一例示剖面概略说明图。图4为实施例1之出口面积与雾状之关系显示图表。 |
