| 主权项 |
1.一种制造半导体元件之记忆胞电容器的方法,包括下列步骤:形成一第一绝缘层于具有一源极/汲极区之一半导体基底上;形成一接触电极于该第一绝缘层中并连接该源极/汲极区;形成一第二绝缘层于覆盖于具有该接触电极之该第一绝缘层上;部分蚀刻该第二绝缘层至该接触电极,以形成由至少两个边缘部分互相重合之圆柱形开口所形成之一第一开口;沉积一储存电极导电层于该第一开口之底部以及两侧侧壁,以于第一开口的重合部分的位置上形成由至少两个彼此边缘部分互相重合之圆柱所构成之储存电极。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一绝缘层为依序为一氧化层以及一氮化矽层之一多层结构。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该氮化矽层具有约100埃至500埃之厚度。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二绝缘层包括一氧化层。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二绝缘层具有约6000埃至13000埃之厚度。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该储存电极具有约400埃至600埃之厚度,且具有约7500埃之宽度。7.一种半导体元件包括:一第一导电型态之半导体基底;一闸极,其藉由一闸极绝缘层与该半导体基底分隔;一与第一导电型态相反之第二导电型态掺杂区,该掺杂区配置于该基底中,并与该闸极相邻;一绝缘层覆盖于该半导体基底与该闸极上;一储存电极,连接至一掺杂区,该储存电极具有复数个直立、平行且相互重叠邻接的管状部分以及一使该直立管状部分重叠之颈结部分,该储存电极具有一上表面、下表面和外部周边垂直侧壁表面,该侧壁表面定义复数个构成颈结部之凹陷,以及至少两个内部周边垂直侧壁表面,该侧壁表面由上表面向下延伸至一与下表面分隔之处,因而定义出位于储存电极中之管道;一电容器介电层,其配置于该储存电极上并且覆盖于该储存电极之上表面、外部与内部周侧壁表面;以及一平板电极,其配置于该电容器介电层上,并横跨过该储存电极之上表面、外部与内部周侧壁表面。8.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该储存电极是藉由一形成于该绝缘层中之接触窗插塞而与一掺杂区相连接。9.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该闸极之设计规格小于0.21m。10.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中更包括一配置于该储存电极与该绝缘层之间之蚀刻终止层。11.如申请专利范围第7项之半导体元件,其中该储存电极厚度约为400至600。12.一种半导体元件包括:一第一导电型态之半导体基底;一闸极,其藉由一闸极绝缘层与该半导体基底分隔;一与第一导电型态相反之第二导电型态掺杂区,该掺杂区配置于该基底中,并与该闸极相邻;一第一绝缘层覆盖于该半导体基底与该闸极上;一第二绝缘层形成于该第一绝缘层上,其中该第二绝缘层具有一镶入开口;一储存电极位于该镶入开口中,与一掺杂区相连接,该储存电极具有复数个相邻接而直立且平行的管状部分以及一使该直立管状部分以重叠方式接合之颈结部分,该储存电极具有一上表面、下表面和外部周边垂直侧壁表面,该侧壁表面定义复数个构成颈结部之凹陷,以及至少两个内部周边垂直侧壁表面,该侧壁表面由上表面向下延伸至一与下表面分隔之处,因而定义出位于储存电极中之管道;一电容器介电层,其配置于该储存电极上;以及一平板电极,其配置于该电容器介电层上。13.如申请专利范围第12项之半导体元件,其中该储存电极是藉由一形成于该第一绝缘层中之接触窗插塞而与一掺杂区相连接。14.如申请专利范围第12项之半导体元件,其中该闸极之设计规格小于0.21m。15.如申请专利范围第12项之半导体元件,其中更包括一配置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间之蚀刻终止层。16.如申请专利范围第12项之半导体元件,其中该储存电极厚度约为400至600。图式简单说明:第1A图至第1G图绘示依照本发明之一较佳实施例,在制程中之某些特定阶段之电容器的剖面图。 |
