| 主权项 |
1.一种金属-绝缘物-金属电容器之制造方法,包括下列步骤:提供一基板,在上述基板形成一图案化之第一导电层以作为电容器之储存电极;对上述储存电极实施电浆退火处理;在上述基板及上述储存电极的表面上形成一介电层;对上述介电层实施快速热处理或电浆氧化处理;以及在上述介电层上形成一第二导电层以作为上述电容器之相对电极并完成上述电容器之制造。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中对上述储存电极实施电浆退火处理之温度系在300到400℃的范围。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中对上述储存电极实施电浆退火处理之时间系在1到5分钟的范围。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中对上述介电层实施快速热处理或电浆氧化处理之温度系在300到400℃的范围。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中对上述介电层实施快速热处理或电浆氧化处理之时间系在1到5分钟的范围。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中实施上述电浆退火处理所通入的气体系择自于氮气及氨气之至少一种。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中实施上述快速热处理或上述电浆氧化处理所通入的气体系择自于氧气、氮气、氧化氮气体及氨气之至少一种。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中对上述电容器实施一金属化制程以在上述相对电极上形成铜金属层;9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第一及第二导电层系氮化钽层。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述介电层系一五氧化二钽层。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述氮化钽层系藉由一物理气相沉积法而形成。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述五氧化二钽层系藉由一化学气相沉积法而形成。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述物理气相沉积法系利用钽金属靶材。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述物理气相沉积法系利用氩气及氮气作为反应气体。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述物理气相沉积法之工作压力系在10-3到10-2torr的范围。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述物理气相沉积法之沉积温度系在250到350℃的范围。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述物理气相沉积法之功率系在150到200W的范围。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述氩气与氮气的流量比系90:10。图式简单说明:第1A至1B图系绘示出习知MIM型电容器的制造方法剖面图;第2A至2D图系绘示出根据本发明实施例之MIM型电容器的制造方法剖面图;第3图系分别绘示出具Ta2O5/TiN与Ta2O5/TaN结构之电容器之漏电流与电场强度关系曲线图。 |
