| 主权项 |
1.一种应用于高阻抗表面之微小化、导电、双面式之立体周期结构,其利用多层电路板制成,此周期结构包含:一第一金属层,系由复数个第一单元细胞组成之二维周期结构,各该第一单元细胞与其邻近之第一单元细胞彼此不衔接,且各该第一单元细胞是由金属线回路构成;一第二金属层,系由复数个第二单元细胞组成之二维周期结构,该第二金属层之二维周期结构之排列方式与该第一金属层之二维周期结构之排列方式相同,各该第二单元细胞分别以一对一之对应方式对应至各该第一单元细胞,各该第二单元细胞与其邻近之第二单元细胞彼此衔接,且各该第二单元细胞是由金属线回路构成;以及一通路层,系由复数个通路孔组成之二维周期结构,该通路层之二维周期结构之排列方式与该第一金属层之二维周期结构之排列方式相同,各该通路孔分别以一对一之对应方式对应至各该第一单元细胞与各该第二单元细胞,各该通路孔用于连接各该第一单元细胞与各该第二单元细胞,且各该通路孔是由一介质层经周期性穿孔,再于孔壁镀上金属而形成。2.如申请专利范围第1项之应用于高阻抗表面之微小化、导电、双面式之立体周期结构,其中各该第一单元细胞与各该第二单元细胞是由方形金属线回路构成。3.如申请专利范围第1项之应用于高阻抗表面之微小化、导电、双面式之立体周期结构,其中各该第一单元细胞与各该第二单元细胞是由蜂巢状之金属线回路构成。4.一种用于制作偶极天线之微小化、导电、双面式之立体周期结构,其利用多层电路板制成,此周期结构包含:一第一金属层,系由复数个第一单元细胞组成之二维周期结构,各该第一单元细胞与其邻近之第一单元细胞彼此不衔接,且各该第一单元细胞是由金属线回路构成;一第二金属层,系由复数个第二单元细胞组成之二维周期结构,该第二金属层之二维周期结构之排列方式与该第一金属层之二维周期结构之排列方式相同,各该第二单元细胞分别以一对一之对应方式对应至各该第一单元细胞,各该第二单元细胞与其邻近之第二单元细胞彼此衔接,且各该第二单元细胞是由金属线回路构成;以及一通路层,系由复数个通路孔组成之二维周期结构,该通路层之二维周期结构之排列方式与该第一金属层之二维周期结构之排列方式相同,各该通路孔分别以一对一之对应方式对应至各该第一单元细胞与各该第二单元细胞,各该通路孔用于连接各该第一单元细胞与各该第二单元细胞,且各该通路孔是由一介质层经周期性穿孔,再于孔壁镀上金属而形成。5.如申请专利范围第4项之用于制作偶极天线之微小化、导电、双面式之立体周期结构,其中各该第一单元细胞与各该第二单元细胞是由方形金属线回路构成。6.如申请专利范围第4项之用于制作偶极天线之微小化、导电、双面式之立体周期结构,其中各该第一单元细胞与各该第二单元细胞是由蜂巢状之金属线回路模成。图式简单说明:图1习知技术之选频表面之周期结构。图2另一种习知技术之选频表面之周期结构。图3习知技术之高阻抗表面之周期结构。图4习知技术之单平面紧密光子能隙之周期结构。图5本发明之微小化、导电、双面式之立体周期结构。图6(a)本发明之微小化、导电、双面式之立体周期结构其单元细胞呈方形金属线回路的电磁耦合之电路模型。图6(b)为图6(a)中各层间单元细胞电磁耦合之电路模型。图7用以测试本发明之微小化、导电、双面式之立体周期结构其双面皆呈现高阻抗现象之量测系统。图8为图7之量测系统之测试结果。图9利用本发明之微小化、导电、双面式之立体周期结构所设计的一种偶极天线。图10为图9之偶极天线之模拟电场辐射场型与理想偶极天线之模拟电场辐射场型。 |
