| 主权项 |
1.一种负型光阻合成物,其系包含:聚合物,其包含以一般式(1)所表示的重复单元;架桥剂,其由包含以一般式(2)所表示之官能基的化合物所构成;与光酸发生剂,其照光则产生酸,一般式(1)中,R1为氢原子或甲基,R2为包含7~18个碳原子且具有架桥环式烃基的亚烷基,且聚合物的平均分子量范围为1000~500000;一般式(2)中,R8为氢原子或包含1~6个碳原子的烷基,或包含3~6个碳原子的碳烷基。2.如申请专利范围第1项所述之负型光阻合成物,其尚包含多羟醇化合物。3.如申请专利范围第1项所述之负型光阻合成物,其中该聚合物为由一般式(3)所表示的聚合物,一般式(3)中,R1,R3与R5均为氢原子或甲基,R2与R4均为包含7~18个碳原子且具有架桥环式烃基的亚烷基,R6为氢原子或包含1~12个碳原子的烷基,x、y与z满足以下关系:x+y+z=1,0<x<1,0<y<1,与0≦z<1,且聚合物的平均分子量范围为1000~500000。4.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该架桥剂为由一般式(4)所表示的化合物,一般式(4)中,R8为氢原子或包含1~6个碳原子的烷基,或包含3~6个碳原子的碳烷基,且a1=1或2,a2=1或2,b1=0或1,b2=0或1,a1+b1=2,且a2+b2=2。5.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该架桥剂为由一般式(5)所表示的化合物,一般式(5)中,R8为氢原子、包含1~6个碳原子的烷基或包含3~6个碳原子的羰烷基,R9为氢原子、羟基、包含1~6个碳原子的烷氧基或包含3~6个碳原子的羰烷氧基。6.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该架桥剂为由一般式(6)所表示的化合物,一般式(6)中,R8为氢原子、包含1~6个碳原子的烷基或包含3~6个碳原子的羰烷基,R9为氢原子、羟基、包含1~6个碳原子的烷氧基或包含3~6个碳原子的羰烷氧基,而R10为氧原子、硫原子、包含1~3个碳原子的亚烷基或羟亚甲基。7.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该架桥剂为由一般式(7)所表示的化合物,一般式(7)中,R8为氢原子、包含1~6个碳原子的烷基或包含3~6个碳原子的羰烷基。8.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该架桥剂为由一般式(8)所表示的化合物。9.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该光酸发生剂为由一般式(9)所表示之盐化合物,一般式(9)中,R10.R11与R12分别独立地为烷基取代的、卤素取代的或无取代基的芳香基、脂环基、具架桥结构的环式烃基、2-羰脂环基或烷基;而Y-为由BF4-、AsF6-、SbF6-或一般式(10)所表示的平衡阴离子;Z-SO-3 (10)一般式(10)中,Z为CnF2n+2(n为1~6的整数)、烷基或烷基取代的、卤素取代的或无取代基的芳香基。10.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该光酸发生剂为由一般式(11)所表示的碘盐化合物,一般式(11)中,R13与R14分别独立地为烷基取代的、卤素取代的或无取代基的芳香基、脂环基、具架桥结构的环式烃基、2-羰脂环基或烷基;而Y-为由BF4-、AsF6-、SbF6-或一般式(10)所表示的平衡阴离子;Z-SO-3 (10)一般式(10)中,Z为CnF2n+2(n为1~6的整数)、烷基或烷基取代的、卤素取代的或无取代基的芳香基。11.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该光酸发生剂为由一般式(12)所表示的丁二醯亚胺衍生物,一般式(12)中,R15为卤素取代的或无取代基的烷基,或烷基取代的、卤素取代的或无取代基的芳香基;而R16为卤素取代的或无取代基的烷基,或烷基取代的、卤素取代的或无取代基的芳香基。12.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该光酸发生剂为由一般式(13)所表示的重氮化合物,一般式(13)中,R17与R18分别独立地为烷基、烷基取代的、卤素取代的或无取代基的芳香基、脂环式烃基或具架桥结构的环式烃基。13.如申请专利范围第1~3任一项所述之负型光阻合成物,其中该负型光阻合成物包含50-98重量百分比的该聚合物,1-50重量百分比的该架桥剂,与0.2-15重量百分比的该光酸发生剂。14.一种形成光阻图案的方法,系包含下列步骤:将负型光阻合成物涂布在基板上;以180~220nm波长的光对该负型光阻合成物曝光;对其上涂布负型光阻合成物的该基板进行烘烤;且对该已烘烤基板进行显影,而其中该负型光阻合成物系包含:聚合物,其包含以一般式(14)所表示的重复单元;架桥剂,其由包含以一般式(15)所表示之官能基的化合物所构成;与光酸发生剂,一般式(14)中,R1为氢原子或甲基,R2为包含7~18个碳原子且具有架桥环式烃基的亚烷基,且聚合物的平均分子量范围为1000~500000,且一般式(15)中,R8为氢原子或包含1~6个碳原子的烷基,或包含3~6个碳原子的羰烷基。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该负型光阻合成物尚包含多羟醇化合物。16.如申请专利范围第14项所述之形成光阻图案的方法,其中该波长为180nm至220nm的光为ArF准分子雷射光。图式简单说明:图1A至图1D为说明在本发明中形成光阻图案的方法。 |
