| 主权项 |
1.一种改善一具特征区之介电层上金属沉积的方法,该方法至少包含下列步骤:a)在一制程室中清洗该具特征区之介电层,其中该制程室具有一第一电浆,且该第一电浆至少包含主要的氩气;及b)在该制程室中清洗该具特征区之介电层,其中该制程室具有一第二电浆,且该第二电浆由氢及氦气组成。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该制程室为一预清洗室。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一电浆由氩气组成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二电浆由约5%至约100%原子数比的氢及约0%至约95%原子数比的氦组成。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包含沉积一金属于该具特征区之介电层上的步骤,其中该沉积金属之步骤系在该介电层曝至该第一电浆及该第二电浆之后进行。6.一种改善一具特征区之介电层上金属沉积的方法,该方法至少包含下列步骤:a)在一制程室中清洗该具特征区之介电层,其中该制程室具有一第一电浆,且该第一电浆至少包含主要的氩气,其中该第一电浆系由提供射频电源予一围绕该制程室之线圈、且提供射频偏压予一基材支撑组件所产生,其中该基材支撑组件用以支撑该基材;b)在该制程室中清洗该具特征区之介电层,其中该制程室具有一第二电浆,且该第二电浆由氢及氦气组成,其中该第二电浆系由提供射频电源予围绕该制程室之该线圈、且提供射频偏压予该基材支撑组件所产生;及c)沉积一金属于该具特征区之介电层上,其中该沉积金属之步骤系在该介电层曝至该第一电浆及该第二电浆之后进行。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该制程室为一预清洗室。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一电浆由氩气组成。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第二电浆由约5%原子数比的氢及约95%原子数比的氦组成。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中更包含沉积一阻障层于该具特征区之介电层之上的步骤,而该沉积阻障层的步骤系在沉积该金属之前进行。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中在形成第二电浆时提供至基材支撑组件的射频偏压较形成第一电浆者为小。12.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该第一电浆系由约300瓦特之射频电源提供至该线圈、并以约300瓦特之射频偏压提供至该基材支撑组件所产生;而该第二电浆则是由约450瓦特之射频电源提供至该线圈、并以约10瓦特之射频偏压提供至该基材支撑组件所产生。13.如申请专利范围第6项所述之方法,其中每一电浆在该制程室中维持的时间约为60秒钟。14.一种改善一具特征区之介电层上金属沉积的方法,该方法至少包含下列步骤:a)在一制程室中清洗该具特征区之介电层,其中该制程室具有一第一电浆,且该第一电浆由主要的氩气组成,其中该第一电浆系由提供射频电源予一围绕该制程室之线圈、且提供射频偏压予一基材支撑组件所产生,其中该基材支撑组件用以支撑该基材;b)在该制程室中清洗该具特征区之介电层,其中该制程室具有一第二电浆,且该第二电浆由氢及氦气组成,其中该第二电浆系由提供射频电源予围绕该制程室之该线圈、且提供射频偏压予该基材支撑组件所产生;及c)沉积一阻障层于该具特征区之介电层上,其中该沉积阻障层之步骤系在该介电层曝至该第一电浆及该第二电浆之后进行;及d)沉积一金属于该阻障层之上。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该制程室为一预清洗室。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第二电浆由约5%至约100%原子数比的氢及约0%至约95%原子数比的氦组成。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第二电浆由约5%原子数比的氢及约95%原子数比的氦组成。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一电浆系由约300瓦特之射频电源提供至该线圈、并以约300瓦特之射频偏压提供至该基材支撑组件所产生;而该第二电浆则系由约450瓦特之射频电源提供至该线圈、并以约10瓦特之射频偏压提供至该基材支撑组件所产生。19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中每一电浆在该制程室中维持的时间约为60秒钟。20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一电浆在该制程室中产生时的压力约为0.8毫托尔,而该第二电浆在该制程室中产生时的压力约为80毫托尔。图式简单说明:第1图为一具图案化之基材的部份剖面示意图,其中显示一非平面之表面及一任意定向、具细微晶粒、表面粗糙沉积层沉积于该基材之接触洞内,其中沉积层内并有空洞及不连续性留于其中;第2图为一成套设备系统的示意图,其中具有多重基材处理室;第3图显示本发明之氩电浆清洗及氢电浆清洗步骤的流程图,其中并显示氢、氩电浆步骤的前后步骤;第4图为为适用于沉积一阻障层之一典型物理气相沉积室;及第5图为适用于本发明中之一典型预清洗室的剖面图。 |
