| 主权项 |
1.一种制备于载体上包含分子筛微晶体的单层结构之方法,该方法包含:a)制备包含具有表面电荷的分子筛之个别微晶体之分散液,b)选择或制备具有表面电荷之载体,该表面电荷已经电荷反转且与分散液中个别微晶体之表面电荷相反,c)令该电荷反转之载体与包含分子筛的个别微晶体之分散液接触,使得分子筛的个别微晶体被吸引并吸附至该载体上以成为单层,其中分子筛为沸石或微孔性金属矽酸盐或金属磷酸盐,或为矽沸石、羟基方钠石、Ti-矽沸石、丝光沸石或沸石A、、L、X、Y、ZSM-5.ZSM-2.ZSM-11.ZSM-22或SAPO-34中之一种,且其中载体为无孔性载体,诸如矽、矽石、氧化铝、矽酸铝、二氧化钛、二氧化锆、或金属或石英,或多孔性载体,诸如矽石、氧化铝、矽酸铝、金属或有机聚合物基质,或为无机或有机纤维。2.一种制备于载体上包含厚度1m或低于1m之分子筛膜的结构之方法,该方法包含:a)在载体上沈积包合分子筛微晶体之单层,其可核晶化分子筛膜的生长,b)形成分子筛合成溶液,及c)令a)与b)接触并水热性地生长分子筛以于载体上形成分子筛膜,其中分子筛为沸石或微孔性金属矽酸盐或金属磷酸盐,或为矽沸石、羟基方钠石、Ti-矽沸石、丝光沸石或沸石A、、L、X、Y、ZSM-5.ZSM-2.ZSM-11.ZSM-22或SAPO-34中之一种,且其中载体为无孔性载体,诸如矽、矽石、氧化铝、矽酸铝、二氧化钛、二氧化锆、或金属或石英,或多孔性载体,诸如矽石、氧化铝、矽酸铝、金属或有机聚合物基质,或为无机或有机纤维。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中微晶体系经由静电吸附键结至载体表面。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中载体系经预先处理。5.如申请专利范围第1项之方法,其中电荷反转是经由令载体与包含阳离子性聚合物的溶液接触而达成。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中微晶体系经电荷反转。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中载体系藉由耦合剂预先处理。8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中微晶体为胶质分子筛。9.如申请专利范围第8项之方法,其中胶质分子筛微晶体的颗粒大小为10至500nm。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中单层主要系由分子筛微晶体所构成,该分子筛微晶体系与一或多个其相邻者接触。11.如申请专利范围第2项之方法,其中合成溶液呈透明。12.如申请专利范围第1或2项之方法,其中具有分子筛单层的载体系在气流中烧。13.一种包含载体和膜之结构,该膜包含结晶态分子筛,其中该分子筛膜系连续的且厚度为100nm或小于100nm,其中分子筛为沸石或微孔性金属矽酸盐或金属磷酸盐,或为矽沸石、羟基方钠石、Ti-矽沸石、丝光沸石或沸石A、、L、X、Y、ZSM-5.ZSM-2.ZSM-11.ZSM-22或SAPO-34中之一种,且其中载体为无孔性载体,诸如矽、矽石、氧化铝、矽酸铝、二氧化钛、二氧化锆、或金属或石英,或多孔性载体,诸如矽石、氧化铝、矽酸铝、金属或有机聚合物基质,或为无机或有机纤维。图式简单说明:图1显示单层的矽沸石-1经由静电吸附法连接至单晶Si基质并用扫描电子显微镜所得的显微图。图2显示TPA-矽沸石-1在单晶Si基质的膜并用扫描电子显微镜所得的显微图。图3显示用扫描电子显微镜所得的矽沸石-1之空心纤维显微图(左图)及沸石Y之空心纤维显微图(右图),其制备系在碳纤维上形成分子筛膜,随后经由 烧将碳纤维去除。 |
