互连之加强

摘要

揭示一种在半导体装置中用于互连结构之方法、装置、系统及机器可读取媒体以及形成该半导体装置之方法。实施例包含一掺杂碳及掺杂矽之互连，该互连的矽浓度可以避免在一互连与一钝化层(passivationlayer)之间形成一矽化铜层。一些实施例在与活化能及／或平均失效时间有关之电子迁移可靠性中提供意想不到的结果。