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发明名称
膜形成装置和膜形成方法和清洁方法
摘要
本发明的目的在于提供一种能够形成高密度和高纯度EL层的膜形成装置和清洁方法。本发明为藉由基底的加热装置加热基底10、藉由连接到膜形成室的减压装置(如涡轮分子泵、乾泵、低温抽气泵等的真空泵)将膜形成室的压力减小到5×10^-3Pa(0,665Pa)或以下,较佳的,减小到1×10^-3Pa(0,133Pa)或以下,并藉由从沉积源沉积有机化合物材料进行膜形成,形成高密度EL层。在膜形成室中,藉由电装进行沉积掩模的清洁。
申请公布号
TW200303574
申请公布日期
2003.09.01
申请号
TW091136004
申请日期
2002.12.12
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
山崎舜平;村上雅一
分类号
H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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