| 主权项 |
1.一种无线通讯元件的塑胶晶圆封装,包括:一晶片;一核心逻辑设计区,位于该晶片之正中央;一输出入埠区,设置于该晶片上且与该核心逻辑设计区之四周相邻;一输出入电极区,位在该晶片之两侧边;以及一封盖,位于该核心逻辑设计区上方,且该核心逻辑设计区电路系经由该封盖与输出入埠区相密合,使该核心逻辑设计区的电波或声波传输能顺利进行。2.如申请专利范围第1项所述之塑胶晶圆封装,其中该封盖系选自金属盖及玻璃盖其中之一者。3.如申请专利范围第1项所述之塑胶晶圆封装,其中该正中央的核心逻辑设计区可为长方形或正方形。4.如申请专利范围第2项所述之塑胶晶圆封装,其中该金属盖系选自铝合金、镍合金、铜合金及钢合金所组成群组。5.如申请专利范围第1项所述之塑胶晶圆封装,其中该封盖系经由可加热/加压的双面胶带与该输出入埠区相接密合。6.如申请专利范围第1项所述之塑胶晶圆封装,其中该封盖系经由不导电胶与该输出入埠区相接密合。7.如申请专利范围第1项所述之塑胶晶圆封装,其中在该输出入电极区之金属焊垫上系焊接复数焊球,且从该晶片表面算起的该锡球回焊后之高度必须高于该封盖高度至少2密耳(mil)以上。8.如申请专利范围第1项所述之塑胶晶圆封装,其中该核心逻辑设计区电路若不须藉由特定的声波频率传输,则该输出入电极区上之锡球可被设计成阵列式,且分布在该晶片上方的最上层镀膜。9.一种无线通讯元件的塑胶晶圆封装,包括:一晶片;一核心逻辑设计区,位于该晶片之正中央;一输出入埠区,设置于该晶片上且与该核心逻辑设计区之四周相邻;一输出入电极区,位在该晶片之两侧边;以及一低介电常数封胶材质,其系涂布覆盖在该核心逻辑设计区上方而密封之,再接续于其上涂布一至二层介质层封胶材质和最上层的保护膜,且该介质层封胶材质系作为充当热应力缓冲层和连接层使用。10.如申请专利范围第9项所述之塑胶晶圆封装,其中该低介电常数封胶材质系为低反射率或低放射率的封胶材质者。11.如申请专利范围第9项所述之塑胶晶圆封装,其中该低介电常数封胶材质及该介质层封胶材质仅涂布在该核心逻辑设计区上方封胶区。12.如申请专利范围第9项所述之塑胶晶圆封装,其中该低介电常数封胶材质及该和介质层封胶材质系涂布在该核心逻辑设计区、输出入埠区及输出入电极区上方。13.如申请专利范围第9项所述之塑胶晶圆封装,其中该低介电常数封胶材质之K値必须小于1.35。14.如申请专利范围第9项所述之塑胶晶圆封装,其中在该输出入电极区之金属焊垫上系焊接复数焊球,且从该晶片表面算起的该锡球回焊后之高度必须高于该最上层保护膜高度至少2密耳(mil)以上。15.如申请专利范围第9项所述之塑胶晶圆封装,其中该低介电常数封胶材质、介质层封胶材质及保护层的涂布系可以采用化学气相沈积法(CVD)、物理气相沈积法(PVD)、王版印刷、滚筒涂布或是喷墨印刷法等方式。图式简单说明:第一图为本发明无线通讯晶片封装的平面结构示意图。第二图为第一图之无线通讯晶片封装的结构剖视图。第三图为本发明于无线通讯晶片封装核心逻辑区上方覆盖低介电常数封胶材质的结构剖视图。第四图为本发明于无线通讯晶片封装核心逻辑区上方覆盖低介电常数封胶材质的另一结构剖视图。第五图为本发明所使用之双面胶带平面示意图。 |
