| 主权项 |
1.一种探测光之方法,包含:提供一种具有第一折射率之第一材料;提供一种在第一材料上之第二材料,其中第二材料具有第二折射率,及第二折射率系大于第一折射率;提供第二材料中之一掺杂区;提供具有第三折射率之第三材料;掺杂于第三材料上面之一光阻层;使该光阻层形成图型以留下光阻材料之图型;根据光阻材料之图型蚀刻第三材料;除去光阻材料;将第二材料及第三材料之至少一部份曝露于光以使光耦合进入第二材料而产生载子;以及收集各载子。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中第三材料包含矽。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中第三材料另包含氮化物。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中第三材料另包含二氧化矽。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻第三材料系使用KOH完成之。6.根据申请专利范围第5项之方法,另包含使第三材料之表面粗糙不平及当使用KOH蚀刻第三材料时除去光阻层之图型。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中使第三材料之表面变成粗糙乃以乾蚀刻第三材料完成。8.根据申请专利范围第1项之方法,另包含形成集极区。9.一种在具有一矽层附以一表面之一基体上形成光耦合结构之方法,包含:在该矽层之表面上形成二氧化矽层;在该二氧化矽层上淀积一光阻层;使该光阻层形成图型以除去该光阻层之第一部份;蚀刻该二氧化矽层以留下二氧化矽之第一图型及曝露矽体之第二图型;使曝露之矽体变成粗糙不平;及施加由钾,氧及氢组成之蚀刻剂于二氧化矽之第一图型及曝露矽体之第二图型,以根据第一图型留下成金字塔形之矽功能元件。10.一种在具有一半导体层附以一表面之一基体上形成光耦合结构之方法,其中该半导体层之半导体具有晶体定向者,包含:在该半导体层之表面上形成第一层;淀积一光阻层于该第一层上;使该光阻层形成图型以除去该光阻层之第一部份;蚀刻该第一层以留下第一层之第一图型及该半导体层之曝露半导体之第二图型;使曝露之半导体变成粗糙不平;及施加对该半导体及第一层之定向有选择性之蚀刻剂于第一层之第一图型及曝露半导体之第二图型,其中系根据第一图型留下各几何形状者。图式简单说明:图1为在根据本发明具体实例之处理步骤中之积体电路之一部份载面图;图2为在该处理之次一步骤之图1之积体电路截面图;图3为图2之积体电路之顶面图;图4为在该处理之次一步骤之图2中积体电路之截面图;图5为图4之积体电路之顶面图;图6为在该处理之次一步骤之图4中之积体电路之截面图;图7为在该处理之次一步骤之图6中积体电路之截面图;图8为在根据一可选替实例之处理步骤中一积体电路之截面图;图9为在该处理之次一步骤之图8中积体电路之截面图;图10为在该处理之次一步骤之图9中积体电路之截面图;图11为根据本发明之一实例之光栅功能元件之配置顶视图;图12为具有根据本发明之光检波器及处理电路之半导体基体之截面图;及图13为图12中所示检波器之一部份之截面图。 |
