薄膜电晶体

摘要

本发明提供一种可抑制特性参差之薄膜电晶体。其系具有：隔着SiO2膜所构成之基底绝缘膜3而设于玻璃基板2上之Si所形成之半导体层4；设于半导体层4中之两侧之源极领域8与汲极领域9；于半导体层4中之源极领域8与汲极领域9之间之通道领域10；隔着SiO2膜所构成之闸极绝缘膜6而设于通道领域10上之闸极电极7，其特征为：至少由闸极电极7所覆盖之通道领域10之通道宽度方向WD的端部5的斜面角系在大约60度以上。