| 摘要 |
本发明有关于磁阻效应元件及具有此之磁性记亿体。依本发明可以获得减小其尺寸之下，仍然有高MR比大，热安定性优异，开关磁场小之磁阻效应元件、以及使用该磁阻效应元件之磁性记忆体。其特征为：具备复数之强磁性层之介着非磁性层而层叠而成之记忆层、及至少备有一层之强磁性层之磁性膜、以及设于上述记忆层与上述磁性膜之间之隧道阻挡层，上述记忆层之强磁性层乃由Ni-Fe-Co三元合金所成，在三元状态图中，具有由Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)之直线、Fe80(at%)Ni20(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)之直线、Fe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)之直线所围绕之内侧之组成领域及由Fe80(at%)Ni20(at%)-Co65(at%)Ni35(at%)之直线、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe70(at%)Ni30(at%)之直线、Co90(at%)Fe10(at%)-Fe30(at%)Ni70(at%)之直线所围绕之内侧之组成领域中之任何一方之组成领域所选取之组成，而上述记忆层与上述隧道阻挡层之界面、及上述磁性膜与上述隧道阻挡层之界面之最大表面粗糙度系0.4nm以下。 |
