| 主权项 |
1.一种永久磁铁,具有0.1cm或更大之电阻率且由结合型磁铁所组成,其包括分散在一种树脂中之磁铁粉末,该磁铁粉末包含使用无机玻璃所涂覆之磁性铁粉,并具有5KOe或更大之本质矫顽力,300℃或更大之居里点Tc及150m或更小之粉末的粒子直径。2.如申请专利范围第1项之永久磁铁,包括10重量%或更少含量之无机玻璃。3.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中磁铁粉末具有2.0至50m之平均粒子直径。4.如申请专利范围第3项之永久磁铁,其中磁铁粉末具有2.5至25m的平均粒子直径及50m或更小之最大粒子直径。5.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中无机玻璃具有220℃至500℃之软化点。6.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中树脂之含量是20体积%或更大。7.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中磁铁粉末是稀土磁铁粉末。8.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中模制压缩性是20%或更大。9.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中电阻率是1cm或更大。10.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中磁铁粉末具有2.5至50m的平均粒子直径。11.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中磁铁粉末具有10KOe或更大之本质矫顽力及500℃或更大之居里点Tc。12.如申请专利范围第11项之永久磁铁,其中无机玻璃具有400℃至550℃之软化点。13.如申请专利范围第11项之永久磁铁,其中树脂的含量是30体积%或更多。14.如申请专利范围第11项之永久磁铁,其中磁铁粉末是稀土磁铁粉末。15.如申请专利范围第11项之永久磁铁,其中模制压缩性是20%或更大。16.如申请专利范围第11项之永久磁铁,其中电阻率是1cm或更大。17.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中总厚度是10,000m或较小。18.如申请专利范围第17项之永久磁铁,其中总厚度是500m或较小。19.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中磁化之磁场是2.5T。20.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中中心线平均粗糙度Ra是10m或更小。21.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中永久磁铁系由模压制予以制成。22.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中永久磁铁系由热压机予以制成。23.如申请专利范围第2项之永久磁铁,该永久磁铁系经由制造薄膜之方法,例如刮刀方法和印刷方法,自树脂和磁铁粉末的混合涂层予以制成。24.如申请专利范围第2项之永久磁铁,具有25%或更大之表面光泽度。25.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中树脂系选自下列所构成之族群的至少一种:聚丙烯树脂、6-尼龙树脂、12-尼龙树脂、聚醯亚胺树脂、聚乙烯树脂及环氧树脂。26.如申请专利范围第2项之永久磁铁,其中树脂系选自下列所构成之族群的至少一种:聚醯亚胺树脂、聚(醯胺-醯亚胺)树脂、环氧树脂、聚苯硫树脂、矽酮树脂、聚酯树脂、芳族聚醯胺树脂及液晶聚合物。27.如申请专利范围第7项之永久磁铁,其中磁铁粉末是选自下列所构成之族群的稀土磁铁粉末:SmCo、NdFeB和SmFeN。28.如申请专利范围第27项之永久磁铁,其中磁铁粉末是Sm-Co磁铁。29.如申请专利范围第28项之永久磁铁,其中SmCo稀土磁铁粉末是由式:Sm(CobalFe0.15至0.25Cu0.05至0.06 Zr0.02至0.03)7.0至8.5所代表之合金粉末。30.一种磁芯,其包含用于磁偏之磁铁,其中用于磁偏之磁铁系申请专利范围第1项之永久磁铁,且被安排在磁隙之邻近,为的是自磁隙的两侧供应磁偏至磁芯,该磁芯包括至少一条磁隙在磁径中。31.一种包含用于磁偏之磁铁的磁芯,该用于磁偏之磁铁系申请专利范围第17项之永久磁铁,且被安排在磁隙之邻近,为的是自磁隙的两侧供应磁偏至磁芯,该磁芯包括至少一条磁隙在磁径中,其中该磁隙具有大约50至10,000m的间隙长度。32.如申请专利范围第31项之包含用于磁偏之磁铁的磁芯,其中磁隙具有超过500m之长度,用于磁偏之磁铁具有相当于磁隙长度之厚度。33.如申请专利范围第31项之包含用于磁偏之磁铁的磁芯,其中磁隙具有500m或更小之长度,用于磁偏之磁铁具有相当于磁隙长度之厚度。34.一种感应组件,包括申请专利范围第31项之用于磁偏之磁铁的磁芯,及具有至少一匝之至少一个线圈,其中将该至少一个线圈施加至磁芯,此磁芯包括申请专利范围第31项之用于磁偏之磁铁的磁芯。35.一种感应组件,包括:具有至少一条磁隙之磁芯,每一者在磁径中具有大约50至10,000m的磁隙长度;将用于磁偏之磁铁安排在磁隙的邻近中,为的是自磁隙的两侧供应磁偏;及经施加至磁芯上之具有至少一匝之线圈,其中用于磁偏之磁铁是结合型磁铁包括一种树脂及分散在该树脂中之磁铁粉末并具有1cm或更大之电阻率;该磁铁粉末包括一种稀土磁铁粉末,其具有5KOe或更大之本质矫顽力、300℃或更大之居里点、150m或更小之最大粒子直径及2至50m之平均粒子直径及使用无机玻璃盖覆;及该稀土磁铁粉末系选自下列所构成之族群:Sm-Co磁铁粉末、Nd-Fe-B磁铁粉末和Sm-Fe-N磁铁粉末。36.如申请专利范围第35项之感应组件,其中用于磁偏之磁铁经由模压予以模制。37.如申请专利范围第36项之感应组件,其中用于磁偏之磁铁具有20%或更大之模制压缩性。38.如申请专利范围第35项之感应组件,其中将用于磁偏之永久磁铁表面,用具有120℃或更大之耐热温度之耐热树脂或耐热涂料盖覆。39.如申请专利范围第35项之感应组件,其中无机玻璃具有220℃至550℃之软化点。40.如申请专利范围第35项之感应组件,其中无机玻璃之含量是10重量%或更少。41.如申请专利范围第35项之感应组件,其中树脂之含量是20%或更多,该树脂系选自下列所构成之族群之至少一种:聚丙烯树脂-6-尼龙树脂、12-尼龙树脂、聚醯亚胺树脂、聚乙烯树脂及环氧树脂。42.一种感应组件,其遭受焊料逆流处理,包括:具有至少一条磁隙之磁芯,每一者在磁径中具有大约50至10,000m之间隙长度;将用于磁偏之磁铁安排在磁隙之邻近中,为的是自磁隙的两侧供应磁偏;及具有施加至磁芯之至少一匝的线圈,其中:用于磁偏之磁铁是结合型磁铁,其包括一种树脂及分散入该树脂中之磁铁粉末并具有1cm或更大之电阻率;及该磁铁粉末包括Sm-Co稀土磁铁粉末具有10KOe或更大之本质矫顽力、500℃或更大之居里点,150m 或更小之最大粒子直径及2.5至50m之平均粒子直径并使用无机玻璃予以盖覆。43.如申请专利范围第42项之感应组件,其中用于磁偏之磁铁系由模压予以模制。44.如申请专利范围第43项之感应组件,其中用于磁偏之磁铁具有20%或更大之模制压缩性。45.如申请专利范围第42项之感应组件,其中采用于磁偏之永久磁铁表面用具有270℃或更大之耐热温度之耐热树脂或耐热涂料盖覆。46.如申请专利范围第42项之感应组件,其中SmCo稀土磁铁粉末是由Sm(CobalFe0.15至0.25Cu0.05至0.06Zr0.02至0.03 )7.0至8.5所代表之合金粉末。47.如申请专利范围第42项之感应组件,其中无机玻璃具有220℃至500℃之软化点。48.如申请专利范围第42项之感应组件,其中无机玻璃之含量是10重量%或更少。49.如申请专利范围第42项之感应组件,其中树脂之含量是30体积%或更多,该树脂系选自下列所构成之族群之至少一者:聚醯亚胺树脂、聚(醯胺-醯亚胺)树脂、环氧树脂、聚(苯硫)树脂、矽酮树脂、聚酯树脂、芳族聚醯亚胺树脂及液晶聚合物。50.一种感应组件,包括:磁芯,包括至少一条磁隙,在磁径中具有大约500m或更小之隙长度;将用于磁偏之磁铁安排在磁隙之邻近中,为的是自磁隙之两侧供应磁偏;及具有施加至磁芯之至少一匝的线圈,其中:用于磁偏之磁铁是结合型磁铁,其包括一种树脂及分散入该树脂中之磁铁粉末并具有1cm或更大电阻率及500m或较小之厚度;该磁铁粉末包括稀土磁铁粉末具有5KOe或更大之本质矫顽力、300℃或更大之居里点、150m或更小之最大粒子直径及2.0至50m之平均粒子直径;及该稀土磁铁粉末系选自下列所构成之族群:Sm-Co磁铁粉末、Nd-Fe-B磁铁粉末及Sm-Fe-N磁铁粉末,并使用无机玻璃予以盖覆。51.如申请专利范围第50项之感应组件,其中用于磁偏之永久磁铁系由制造薄膜之方法例如刮刀方法和印刷方法自树脂和磁铁粉末之混合物予以模制。52.如申请专利范围第50项之感应组件,其中用于磁偏之永久磁铁具有20%或更大之模制压缩性。53.如申请专利范围第50项之感应组件,其中将用于磁偏之永久磁铁表面使用具有120℃或更大之耐热温度之耐热树脂或耐热涂料盖覆。54.如申请专利范围第50项之感应组件,其中无机玻璃具有220℃至500℃之软化点。55.如申请专利范围第50项之感应组件,其中无机玻璃之含量是10重量%或更少在永久磁铁中。56.如申请专利范围第50项之感应组件,其中树脂之含量是20%或更多,该树脂系选自下列所构成之族群之至少一种:聚丙稀树脂、6-尼龙树脂、12-尼龙树脂、聚醯亚胺树脂、聚乙烯树脂及环氧树脂。57.一种感应组件,其遭受焊料逆流处理,包括:磁芯,具有至少一条磁隙,每一者在磁径中具有大约500m或更小之间隙长度;将用于磁偏之磁铁安排在磁隙之邻近中,为的是自磁隙的两侧供应磁偏;及具有经施加至磁芯之至少一匝的线圈,其中:用于磁偏之磁铁是结合型磁铁,其包括一种树脂及分散入该树脂中之磁铁粉末并具有0.1cm或更大之电阻率及500m或更小之厚度;及该磁铁粉末包括SmCo稀土磁铁粉末具有10KOe或更大之本质矫顽力、500℃或更大之居里点,150m或更小之最大粒子直径及2.5至50m之平均粒子直径并使用无机玻璃予以盖覆。58.如申请专利范围第57项之感应组件,其中用于磁偏之永久磁铁系由制造薄膜之方法例如刮刀方法和印刷方法自树脂和磁铁粉末之混合物予以模制。59.如申请专利范围第57项之感应组件,其中用于磁偏之永久磁铁具有20%或更大之模制压缩性。60.如申请专利范围第57项之感应组件,其中无机玻璃具有220℃至500℃之软化点。61.如申请专利范围第57项之感应组件,其中无机玻璃之含量是10重量%或更少在永久磁铁中。62.如申请专利范围第57项之感应组件,其中采用于磁偏之磁铁表面使用具有270℃或更大之耐热温度之耐热树脂或耐热涂料盖覆。63.如申请专利范围第57项之感应组件,其中SmCo稀土磁铁粉末是由Sm (CobalFe0.15至0.25Cu0.05至0.06Zr0.02至0.03)7.0至8.5所代表之合金粉末。64.如申请专利范围第57项之感应组件,其中树脂之含量是30体积%或更多,该树脂系选自下列所构成之族群之至少一者:聚醯亚胺树脂、聚(醯胺-醯亚胺)树脂、环氧树脂、聚(苯硫)树脂、矽酮树脂、聚酯树脂、芳族聚醯胺树脂及液晶聚合物。图式简单说明:第1图是根据本发明抗流线圈之一具体实施例,其为在线圈使用前的透视图;第2图是第1图中所示之抗流线圈之前视图;第3图是一幅图表,显示关于由实例6中之Sm2Co17磁铁和聚醯亚胺树脂所组成之薄板磁铁,直流叠加特性的量计数据;第4图是一幅图表,显示关于由实例6中之Sm2Co17磁铁和一种环氧树脂所组成之薄板磁铁,直流叠加特性的量计数据;第5图是一幅图表,显示关于由实例6中之Sm2Co17N磁铁和一种聚醯亚胺树脂所组成之薄板磁铁,直流叠加特性的量计数据;第6图是一幅图表,显示关于由实例6中之钡铁氧体磁铁和一种聚醯亚胺树脂所组成之薄板磁铁,直流叠加特性的量计数据;第7图是一幅图表,显示关于由实例6中之Sm2Co17磁铁和一种聚丙烯树脂所组成之薄板磁铁,直流叠加特性之量计数据;第8图是一幅图表,显示在实例12中,在使用样品2或4所造成之薄片磁铁之情况中及在未使用薄板磁铁之情况中,在逆流前和后,直流叠加特性的量计数据;第9图是一幅图表,实例18中Sm2Co17磁铁-环氧树脂薄板磁铁的磁化之磁场及直流叠加特性;第10图是包括根据本发明之实例19,薄片磁铁之感应组件的透视外观图式,第11图是第10图中所示之感应组件的透视分解图;第12图是一幅图表,在第19图中,在施加薄板磁铁之情况中及在为了比较之目的,未施加薄板磁铁之情况中,直流叠加感应系数特性的量计数据;第13图是包括根据本发明的实例20之薄板磁铁之感应组件的透视外部图;第14图是第13图中所显示之感应组件的透视分解图;第15图是包括根据本发明的实例21之薄板磁铁之感应组件之透视外部图;第16图是第15图中所显示之感应组件的透视分解图;第17图是一幅图表,显示实例21中,在施加薄板磁铁之情况中及在未施加薄板磁铁之情况中,直流叠加感应系数特性的量计数据;第18A图式显示关于习用之感应组件,芯子的工作区域;第18B图式显示根据本发明之实例22,关于包括薄板磁铁之感应组件,芯子的工作区域;第19图是包括根据本发明实例22之薄板磁铁之感应组件的透视外部图;第20图是第19图中所示之感应组件的透视分解图;第21图是包括根据本发明实例23之薄板磁铁之感应组件的透视外部图;第22图是第21图中所示之感应组件的透视分解图;第23图是一幅图表,显示在施加薄板磁铁之情况及为了比较目的,在未施力薄板磁铁之情况中,直流叠加之感应系数特性的量计数据;第24A图图示显示关于习用之感应组件,芯子的工作区域;第24B图图示显示关于包括根据本发明实例23的薄板磁铁之感应组件,芯子的工作区域;第25图是包括根据本发明实例24之薄板磁铁之感应组件的透视外观图;第26图是组成第25图中所示之感应组件的磁径之芯和薄板磁铁的透视构型图式;第27图图表显示在应用根据本发明之薄板磁铁的情况中及为了比较的目的,在应用薄板磁铁的情况中,直流叠加感应系数特性的量计数据;第28图是包括根据本发明实例25之薄板磁铁之感应组件的截面图;第29图是组成第28图中所示之感应组件磁径之芯及薄板磁铁的透视构型图式;及第30图是图表,显示包括根据本发明实例25之薄板磁铁之感应组件及为了比较目的,在未应用薄板磁铁之情况中的直流叠加感应系数之量计数据。 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