| 摘要 |
本发明揭示包含(I)：于至少有铜(Cu)配线及低介电质层之基板上设光阻图型，以该光阻图型为遮罩选择性蚀刻低介电质层之过程，(III)：经上述(I)过程之基板以臭氧水及／或双氧水接触之过程，以及(III)：经上述(II)过程之基板，以至少含四级铵氢氧化物之光阻用剥离液接触之过程的剥离光阻之方法。根据本发明可提供，双大马士革法等，于至少有Cu配线及低介电质层之基板上的微细图型之形成中，无O2电浆处理之程序中，蚀刻后之光阻膜、蚀刻残留物亦可有效剥离，且对低介电质层之介电率无不良影响，防蚀性亦优之剥离光阻之方法。 |
